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石墨烯的制備方法

   2021年12月23日 16:19  
  石墨烯是由碳原子緊密堆積成單層二維蜂窩狀晶格結(jié)構(gòu)的炭材料取得了一定進展,厚度僅為一個(gè)碳原子完善好,石墨烯具有許多奇特而優(yōu)異的性能,如高的楊氏模量和載流子遷移率積極參與、巨大的比表面積問題分析、優(yōu)良的熱導(dǎo)率和透光性等。此外交流研討,它還具有零載流子濃度極限下的最小量子導(dǎo)電率更加完善、分?jǐn)?shù)量子霍爾效應(yīng)、半整數(shù)量子霍爾效應(yīng)建設應用、量子霍爾鐵磁性和激子帶隙等現(xiàn)象支撐作用。近年來隨著對(duì)石墨烯材料研究的不斷深入,其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大動力,迄今為止石墨烯材料已在能量儲(chǔ)存同時、液晶器件、電子器件效高性、柔性光電器件模式、生物材料、傳感材料和催化劑載體等領(lǐng)域顯示出廣闊而美好的應(yīng)用前景提升。石墨烯所制成的薄片也因其擁有優(yōu)良的透明性高品質、柔軟性以及導(dǎo)電性等特點(diǎn),在光子支撐能力、電子以及光電設(shè)備領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛資源優勢,極具發(fā)展前景。
 
  1.微機(jī)械分離法
 
  該方法的基本原理在于使用機(jī)械作用力來克服石墨層之間的范德華力特征更加明顯,使石墨烯得以分離長效機製,從而得到一小部分的單層石墨烯。
 
 底旨夹g、?直接使用膠帶揭下一層HOPG石墨奮戰不懈;
 
  Ⅱ.通過膠帶之間的反復(fù)粘貼措施,使石墨片層變薄大大縮短,出現(xiàn)包含單層石墨烯的片層要落實好;
 
  Ⅲ.單層石墨烯通過膠帶從而轉(zhuǎn)移到襯底上不容忽視。
 
  機(jī)械分離法的最大優(yōu)點(diǎn)在于其工藝簡單組織了、樣品的質(zhì)量高,但是產(chǎn)量和產(chǎn)率低說服力,不可控搶抓機遇,無法實(shí)現(xiàn)石墨烯的大面積和規(guī)模化制備表示。
 
  2.外延生長法
 
  外延生長法是指利用晶格匹配全面闡釋,在一個(gè)晶體結(jié)構(gòu)上生長出另一種晶體的方法。根據(jù)所選擇的基底種類競爭力所在,外延法可以分為SiC外延生長法和金屬表面外延生長法引人註目。
 
  SiC外延生長法:
 
  Ⅰ.對(duì)Sic單晶片進(jìn)行氧化或是H?刻蝕處理溝通機製;
 
 『眯v、?將處理后的Sic單晶片置于超高真空和高溫環(huán)境中;
 
 ☆I先水平、?利用電子束轟擊SiC單晶片,除去其表面氧化物;
 
 鹇圆季?、?在高溫條件下將其表面層中的Si原子蒸發(fā)事關全面,使表面剩余的碳原子發(fā)生重構(gòu);
 
 ∽屓思m結、?在SiC單晶片表面外延生長石墨烯規模。
 
  SiC外延生長法從本質(zhì)上來說就是一種碳原子的重構(gòu)化學(xué)反應(yīng),通過對(duì)該方法的工藝參數(shù)進(jìn)行控制基石之一,利用SiC外研發(fā)還可以實(shí)現(xiàn)單層和多層石墨烯的可控制備聯動。
 
  金屬表面外延法:
 
  Ⅰ.在高真空環(huán)境中共同努力,加熱裂解含碳化合物前驅(qū)體
 
 ⌒袠I內卷、?熱裂解產(chǎn)生的碳原子在單晶金屬表面沉積排列生成石墨烯。
 
  金屬表面外延法其本質(zhì)就是一種熱解碳在金屬單晶表面的重構(gòu)反應(yīng)逐漸完善,該方法最大的優(yōu)點(diǎn)就是能夠通過設(shè)計(jì)參與能力、調(diào)控和優(yōu)化反應(yīng)條件以及制備工藝參數(shù),從而得到大面積是目前主流、均勻鋪滿金屬基底的幾乎無缺陷的高質(zhì)量石墨烯充分發揮。
 
  外延生長法做制備的石墨烯,不僅具有良好的均一性優勢領先,而且能和當(dāng)前的集成電路很好地兼容迎來新的篇章。但是該方法的制備環(huán)境十分苛刻共創美好,如超高真空、高溫和使用單晶基體扽薄弱點,會(huì)在一定程度上限制石墨烯在集成電路以外的其他大規(guī)模應(yīng)用覆蓋範圍。
 
  3.化學(xué)氣相沉積(CVD)法
 
  Ⅰ.以甲烷等含碳化合物作為前驅(qū)體積極性,以單晶或多晶的金屬薄片作為基底奮勇向前;
 
  Ⅱ.高溫環(huán)境的催化下實施體系,甲烷等含碳化合物的碳?xì)滏I斷裂組建,分解成熱解碳;
 
 “l揮、?通過控制制備反應(yīng)條件顯著,熱解碳經(jīng)過成核快速增長、重排而生長形成石墨烯開放以來。
 
  CVD法制備過程簡單,所得石墨烯質(zhì)量高高質量,可實(shí)現(xiàn)大面積的生長提供了有力支撐,而且較易于轉(zhuǎn)移到各種基體上,CVD法如今已被廣泛用于制備石墨烯晶體管和透明導(dǎo)電薄膜前景,目前已逐漸成為制備高質(zhì)量石墨烯的重要方法進一步意見。
 
  4.氧化石墨還原法
 
  氧化石墨還原法制備石墨烯是迄今*泛使用的一種方法。
 
 」蚕響?、?將鱗片石墨氧化成氧化石墨生產能力;
 
  Ⅱ.氧化石墨之間發(fā)生剝離示範推廣;
 
 猿趾?、?通過還原方法還原去除各種含氧基團(tuán),得到石墨烯大幅增加。
 
  氧化石墨還原法是一種低成本并且可以實(shí)現(xiàn)石墨烯批量生產(chǎn)的方法特性,但該方法也存在著一定的缺陷,在制備氧化石墨烯的過程中等特點,石墨中的C-C鍵斷裂建言直達,共軛結(jié)構(gòu)遭到破壞,使氧化石墨烯為絕緣體至關重要,該方法所得到的石墨烯無法充分顯示石墨烯優(yōu)異的物理和化學(xué)性能不久前。
 
  5.電化學(xué)法
 
  Ⅰ.在恒電動(dòng)勢的條件下提升行動,以高純石墨棒為電機(jī)能力建設;
 
 】煽勘U?、?通過電解陰*純石墨棒剝離,沉積到陽極上設計標準;
 
 ¢_展、?因?yàn)閯冸x后的石墨烯在電解質(zhì)溶液中有離子保護(hù)作用,被阻止重新聚集形成石墨發揮重要帶動作用。
 
  電化學(xué)法能夠一步制備出功能化的石墨烯意向,但制備出的石墨烯片層較厚并且氧含量較高。

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