N64S830HA 閃存存儲(chǔ)器更新：2016-4-27 15:19:44點(diǎn)擊：產(chǎn)品品牌ON產(chǎn)品型號N64S830HA產(chǎn)品描述靈活的操作模式：字讀寫不容忽視，頁面模式（32字頁）和突發(fā)模式（全陣列）...PDF下載 詢價(jià) 申請樣品

描述

安森美半導(dǎo)體串行SRAM系列包括多款集成的內(nèi)存設(shè)備，包括這個(gè)64K的串行方式訪問靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器服務體系，由8位內(nèi)部組織為8千字進入當下。該設(shè)備的設(shè)計(jì)，并使用的CMOS技術(shù)效高化，以提供高速的性能和低功耗制造保持競爭優勢。該器件在單芯片選擇（CS）輸入，并使用一個(gè)簡單的串行外設(shè)接口（SPI）串行總線發展機遇。在一個(gè)單一的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)輸出線用于沿與時(shí)鐘的裝置內(nèi)的訪問數(shù)據(jù)長效機製。該N64S830HA設(shè)備包括一個(gè)HOLD引腳，允許通信設(shè)備被暫停全技術方案。暫停時(shí)分享，輸入轉(zhuǎn)換將被忽略。該設(shè)備可以為-40℃的寬的溫度范圍內(nèi)工作信息化，以+ 85℃方式之一，可以在幾個(gè)標(biāo)準(zhǔn)包裝產(chǎn)品提供。

特性

2.7至3.6 V電源電壓范圍

極低的待機(jī)電流 - 低至1微安

極低的工作電流 - 低至3毫安

靈活的操作模式：字讀寫，頁面模式（32字頁）和突發(fā)模式（全陣列）

簡單的內(nèi)存控制：單芯片選擇（CS）創新能力，串行輸入（SI）和串行輸出（SO）

自定時(shí)寫周期

內(nèi)建寫保護(hù)（CS高）

HOLD引腳用于暫停通信

高可靠性 - 無限寫入周期

符合RoHS封裝 - 綠色SOIC和TSSOP