小尺寸基片的研發(fā)解決方案
SUSS的MJB4是廣受歡迎的手動光刻機(jī)MJB3的全新?lián)Q代產(chǎn)品擴大。操作方便，占地面積小發揮效力，成為實(shí)驗(yàn)室研究和小批量生產(chǎn)的理想設(shè)備新格局。作為經(jīng)濟(jì)型光刻解決方案，MJB4針對直徑達(dá)100mm的小尺寸基片工藝確立了一套工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)安全鏈。MJB4配有高可靠和高精度的對準(zhǔn)系統(tǒng)顯示，同時具備亞微米量級的高分辨率圖形轉(zhuǎn)移能力，這些特點(diǎn)都使得MJB4的性能明顯優(yōu)于同類設(shè)備真正做到。
亮點(diǎn)：
◆ 高分辨率掩模對準(zhǔn)光刻科普活動，特征尺寸優(yōu)于0.5微米；
◆ 裝配SUSS的單視場顯微鏡或分視場顯微鏡強化意識，實(shí)現(xiàn)快速準(zhǔn)確對準(zhǔn)長期間；
◆ 針對厚膠工藝進(jìn)行優(yōu)化的高分辨光學(xué)系統(tǒng)；
◆ 可選配通用光學(xué)器件現場，在不同波長間進(jìn)行快速切換高端化；
◆ 可通過裝配升級套件，實(shí)現(xiàn)紫外納米壓印光刻探討。
MJB4系統(tǒng)可廣泛用于MEMS和光電子不負眾望，例如LED生產(chǎn)。它經(jīng)過特殊設(shè)計(jì)調解製度，方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基片精準調控、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料應用的因素之一，包括砷化鎵和磷化銦機遇與挑戰。而且該設(shè)備可通過選配升級套件，實(shí)現(xiàn)紫外納米壓印光刻善於監督。
Details: Alignment
頂面對準(zhǔn)：
在光刻工藝中集成技術，只需對準(zhǔn)器件晶圓同側(cè)的結(jié)構(gòu)（例如再布線層、微凸點(diǎn) 等）更合理，用頂部對準(zhǔn)功能將掩模位置標(biāo)記對準(zhǔn)晶圓位置標(biāo)記適應能力。 根據(jù)襯底的特性，這可以用存儲的晶圓位置數(shù)據(jù)或者用兩個現(xiàn)場照片 各方面、SUSS MicroTec 開發(fā)的DirectAlign™ 直接對準(zhǔn)技術(shù)實(shí)現(xiàn)防控。
我們的客戶可以從中得到以下好處：
◆ 掩模對準(zhǔn)器的對準(zhǔn)精度
◆ 清晰、強(qiáng)大的圖像識別功能適應性，即使在對比度不理想的情況下
紅外對準(zhǔn)：
多層晶圓堆疊被應(yīng)用在許多構(gòu)造工藝中堅實基礎。 用紅外照射可以識別并對準(zhǔn)通常埋在層之間的對準(zhǔn)標(biāo)記。
紅外光還可以根據(jù)這些埋入的標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)重要作用。 這需要使用能透過紅外線的材料等地，例如硅最為顯著、III-V族半導(dǎo)體（如砷化鎵）以及臨時鍵合和鍵合分離工藝中所使用的粘著劑 通過個例研究檢查可行性。
為了盡可能擴(kuò)大紅外對準(zhǔn)的使用范圍規定，SUSS 掩模對準(zhǔn)器可以選配強(qiáng)大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)環境。
我們的客戶可以從中得到以下好處：
◆ 強(qiáng)大的紅外光源和高性能攝像系統(tǒng)
