| 參考價 | ￥ 6666 |
| 訂貨量 | ≥1件 |
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CH4 1660nm檢測專用激光器采用量子阱結構的DFB激光器，內置半導體制冷器先進技術，先進的激光焊接工藝實現蝶形（butterfly）尾纖式封裝培訓，結構緊湊，體積小深入，在光纖通信領域得到廣泛應用效高；半導體制冷器高精度溫度控制下，激光器功率高穩(wěn)定基礎、波長高穩(wěn)定的優(yōu)勢，使得激光器在光纖傳感器領域得到廣泛應用多種方式。
CH4 1660nm檢測專用激光器
CH4 1660nm檢測專用激光器采用量子阱結構的DFB激光器對外開放，內置半導體制冷器技術創新，先進的激光焊接工藝實現蝶形（butterfly）尾纖式封裝，結構緊湊資料，體積小廣泛應用，在光纖通信領域得到廣泛應用；半導體制冷器高精度溫度控制下新產品，激光器功率高穩(wěn)定去完善、波長高穩(wěn)定的優(yōu)勢，使得激光器在光纖傳感器領域得到廣泛應用長遠所需。
〖應用〗
n 光纖氣體檢測系統(tǒng)
n 氣體檢測用無源器件生產檢測
〖特性〗
n 采用進口量子阱結構DFB半導體激光器芯片
n 波長穩(wěn)定
n 高輸出功率
n 氣密性溫控封裝
n 封裝形式：BF14 尾纖式求索、TF8 空間式、TO39 及其他定制
〖額定極限工作條件〗
參 數 | 符號 | 參數值 | 單 位 |
激光二極管正向電流 | If(LD) | 100 | mA |
激光二極管反向電壓 | Vr(LD) | 2 | V |
背光探測器工作電流 | If(PD) | 2 | mA |
背光探測器反向電壓 | Vr(PD) | 20 | V |
致冷器工作電流 | ITEC | 2.4 | A |
致冷器工作電壓 | VTEC | 2.9 | V |
工作溫度 | Topr | -20～+70 | ℃ |
儲存溫度 | Tstg | -40～+85 | ℃ |
引線焊接溫度/時間 | Tsld | 260/10 | ℃/s |
〖技術參數：（測試環(huán)境溫度為25℃）〗
參數 | 符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
出光功率 | PO | CW | 3 | 10 | mW | |
閾值電流 | Ith | CW | ? | 12 | 18 | mA |
工作電流 | Iop | CW, 5mW | - | ? | 100 | mA |
工作電壓 | Vop | CW, 5mW | ? | 1.5 | 2.0 | V |
斜率效率 | η | CW, 5mW | 0.05 | 0.1 | ? | mW/mA |
峰值波長 | λp | CW, 5mW@25℃ | λc -1 | λc | λc+ 1 | nm |
波長穩(wěn)定度 | λs | CW規模，5mW@25℃ | -0.1nm | +0.1 | dB | |
邊模抑制比 | SMSR | CW, 5mW | 35 | ? | ? | nm |
光譜寬度(20dB) | ?λ | CW, 5mW | ? | 0.2 | nm/℃ | |
波長隨溫度變化漂移系數 | Δλ/T | 穩(wěn)定工作電流 | 0.1 | nm/℃ | ||
波長隨電流變化漂移系數 | Δλ/I | 穩(wěn)定工作溫度 | 0.01 | nm/mA | ||
熱敏電阻 | Rth | Ttherm = 25oC | 9.5 | 10 | 10.5 | k? |
注意:
氣體檢測中穩定發展，根據HITRAN提供的吸收譜線數據，同一種氣體通常幾個吸收峰聯動，客戶應先根據自己的系統(tǒng)需要選擇最佳中心波長位置增持能力。
〖氣體吸收參考表 〗
氣體成分 | 吸收波長 |
O2 | 761nm、764nm (VCSEL) |
HF | 1268.7nm行業內卷、1273nm追求卓越、1278nm |
H2O | 1368.59nm、1392nm |
NH3 | 1512nm |
C2H2 | 1532.68nm |
CO | 1567nm |
H2S | 1578nm |
Co2 | 1580nm參與能力、2.0um |
C2H4 | 1620nm覆蓋、1627nm |
CH4 | 1647nm、1650.9nm研究、1653.7nm高效、1660nm |
HCl | 1742nm |
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