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蔡司SIGMA 500場發(fā)射掃描電鏡

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蔡司SIGMA 500場發(fā)射掃描電鏡 蔡司熱場發(fā)射掃描電鏡SIGMA 500采用了GEMINI電子束無交叉光路設(shè)計(jì)智慧與合力,打破了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中電子束交叉三次發(fā)生能量擴(kuò)散的局限性,束流大小適中重要的角色,極大地降低色差對圖像質(zhì)量的影響開放要求;鏡筒內(nèi)置電子束加速器,無需切換減速模式就可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量低電壓成像平臺建設,20V可成像服務機製,且對樣品類型無限制;鏡筒物鏡采用靜電透鏡加電磁透鏡組合使用,工作距離范圍內(nèi)沒有磁場大幅拓展,能在高倍率下觀察磁性材料;鏡筒內(nèi)正光路安裝的環(huán)形二次電子探測器In-Lens足夠的實力;圓柱形一體化超大樣品室緊迫性,配有5軸全自動優(yōu)中心樣品臺,能裝直徑250mm的超大樣品多種場景;可將同一品牌的電鏡與光鏡聯(lián)合觀察(選配)多元化服務體系,只需一個通用樣品夾和關(guān)聯(lián)軟件為Shuttle Find,可以充分發(fā)揮光鏡及電鏡的各自優(yōu)勢規劃。 產(chǎn)品特點(diǎn):蔡司熱場發(fā)射掃描電鏡SIGMA 500采用了GEMINI電子束無交叉光路設(shè)計(jì)擴大公共數據,打破了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中電子束交叉三次發(fā)生能量擴(kuò)散的局限性,束流大小適中帶動擴大,極大地降低色差對圖像質(zhì)量的影響 聯(lián)系我們

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產(chǎn)品介紹

蔡司熱場發(fā)射掃描電鏡SIGMA 500采用了GEMINI電子束無交叉光路設(shè)計(jì)核心技術體系,打破了傳統(tǒng)設(shè)計(jì)中電子束交叉三次發(fā)生能量擴(kuò)散的局限性,束流大小適中持續發展,極大地降低色差對圖像質(zhì)量的影響必然趨勢;鏡筒內(nèi)置電子束加速器,無需切換減速模式就可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量低電壓成像擴大,20V可成像多樣性,且對樣品類型無限制;鏡筒物鏡采用靜電透鏡加電磁透鏡組合新格局,工作距離范圍內(nèi)沒有磁場明顯,能在高倍率下觀察磁性材料;鏡筒內(nèi)正光路安裝的環(huán)形二次電子探測器In-Lens顯示;圓柱形一體化超大樣品室創新為先,配有5軸全自動優(yōu)中心樣品臺真正做到,能裝直徑250mm的超大樣品;可將同一品牌的電鏡與光鏡聯(lián)合觀察(選配)創新延展,只需一個通用樣品夾和關(guān)聯(lián)軟件為Shuttle & Find,可以充分發(fā)揮光鏡及電鏡的各自優(yōu)勢強化意識。

產(chǎn)品參數(shù)

(1)電子源:GEMINI鏡筒,高穩(wěn)定性Schottky熱場發(fā)射電子槍基本情況。

(2)物鏡系統(tǒng):電磁/靜電式物鏡系統(tǒng)現場,電子束無交叉光路設(shè)計(jì)。

(3)高真空SE分辨率:0.8nm@15kv, 1.4nm@1kv

(4)加速電壓:20V~30 kV力量,以10 V步進(jìn)連續(xù)可調(diào)不久前,無需切換減速模式。

(5)探針電流:4pA-20 nA提升行動,束流穩(wěn)定性優(yōu)于 0.2 %/h能力建設。

(6)放大倍率范圍:10×~1,000,000×(照片放大倍率)。高倍率與低倍率連續(xù)可調(diào)有效性,無需任何模式轉(zhuǎn)換創新內容。

(7)探測器系統(tǒng):樣品室內(nèi)二次電子探測器1個;鏡筒內(nèi)正光軸環(huán)形高效二次電子In-lens探測器1個廣泛關註;

樣品室內(nèi)HDBSD高分辨背散射電子探測器1個善於監督;紅外CCD樣品室觀察系統(tǒng)1個。

(8)樣品室形狀及尺寸:樣品室是由整塊鋼件掏空制成的為圓柱形就能壓製、厚壁更合理、整體結(jié)構(gòu)樣品室,抗磁,防震更優美,抗噪聲各方面。

樣品室直徑或?qū)挾纫蟛恍∮?50mm,高度或深度不低于250mm成效與經驗;

(9)樣品臺類型:5軸馬達(dá)樣品臺適應性,抽屜式安裝,采用雙操縱桿控制盒控制稍有不慎。移動范圍:X>125mm重要作用;Y >125mm;Z >40 mm最為顯著;T≥-4o~+70o尤為突出;R=360o。

(10)能譜儀工作條件:工作距離8.5 mm環境,X射線出射角35°空間載體。

(11)物鏡光闌:7孔光闌,的電磁式自動選擇與電子束對中。

(12)X射線能譜儀(牛津)

探測器:分析型SDD硅漂移電制冷探測器經驗分享,晶體面積30mm2解決方案。超薄窗設(shè)計(jì), 無需液氮冷卻,僅消耗電能有力扭轉。

能量分辨率:MnKa保證優(yōu)于127eV, 元素分析范圍: Be4~Cf98上高質量。

圓形對稱芯片,獨(dú)立封裝FET場效應(yīng)管廣度和深度,避免X射線轟擊深入交流。

譜峰穩(wěn)定性:1,000cps到100,000cps,MnKa峰譜峰漂移小于1eV科技實力,分辨率變化小于1eV, 48小時內(nèi)峰位漂移小于1.5eV處理。



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