配置IR專用物鏡，可用于透過硅材料成像大局，進行半導體檢查和測量

奧林巴斯BX/MX系列紅外顯微鏡配備的5X到100X紅外（IR）物鏡新創新即將到來，提供了從可見光波長到近紅外的像差校正邁出了重要的一步。

對于高放大倍率的物鏡，配備了LCPLN-IR系列帶校正環(huán)的物鏡重要工具，校正由樣品厚度導致的像差積極拓展新的領域，使用一個物鏡即可獲取清晰的圖像。

電子設(shè)備在當今現(xiàn)代科技中已非常普遍性能。每個人很有可能已經(jīng)在使用電子設(shè)備時多種方式，間接遇到并使用了硅晶圓對外開放。 晶圓是一種薄的半導體材料基材技術創新，用于制造電子集成電路。半導體材料種類多樣資料，電子器件中*常用的一種半導體材料是硅 (Si)廣泛應用。硅晶圓是集成電路中的關(guān)鍵部分。它由高純度橫向協同、幾乎無缺陷的單晶硅棒經(jīng)過切片制成哪些領域，用作制造晶圓內(nèi)和晶圓表面上微電子器件的基板。硅晶圓會積累在生長不斷創新、切割建立和完善、研磨、蝕刻參與水平、拋光過程中的殘余應(yīng)力大型。因此，硅晶圓在整個制造過程中可能產(chǎn)生裂紋明確相關要求，如果裂紋未被檢測到重要意義，那些含有裂紋的晶圓就在后續(xù)生產(chǎn)階段中產(chǎn)生無用的產(chǎn)品。裂紋也可能在將集成電路分割成單獨 IC 時產(chǎn)生深化涉外。因此體系，若要降低制造成本，在進一步的加工前開展試點，檢查原材料基材的雜質(zhì)攜手共進，裂紋以及在加工過程中檢測缺陷非常重要。

近紅外一般定義為700-1600nm波長范圍內(nèi)的光線推進一步，由于硅傳感器的上限約為1100nm經過，砷化銦鎵（InGaAs）傳感器是在近紅外中使用的主要傳感器，可覆蓋典型的近紅外頻帶實際需求。大量使用可見光難以或無法實施的應(yīng)用可通過近紅外成像完成解決方案。當使用近紅外成像時，水蒸氣交流、霧和硅等特定材料均為透明基礎，因此紅外顯微檢測被應(yīng)用于半導體行業(yè)的各個方面提供堅實支撐。