一製度保障、PIPS半導(dǎo)體探測器
PIPS半導(dǎo)體探測器外觀圖
AB系列的PIPS探測器測量226Ra-α源能譜
（型號：SP-D20-R14預下達，靈敏直徑20mm，真空避光下測量統籌推進，50V偏壓方案，能量分辨率0.40%）
一、產(chǎn)品簡介
采用鈍化了解情況、離子注入與平面光刻等多種半導(dǎo)體工藝技術(shù)相結(jié)合深入，經(jīng)過攻克鈍化保護(hù)、離子注入重要的、低漏電流開展研究、大面積、高能量分辨率相互融合、環(huán)境光下使用等難題后首要任務，成功開發(fā)出用于α和β粒子的能譜和計(jì)數(shù)測量的高性能PIPS探測器。
二不同需求、 產(chǎn)品特點(diǎn)
1) 超薄死層（入射窗）發展，表面鈍化處理，穩(wěn)定性好總之；離子注入結(jié)面向，堅(jiān)固可靠；
2) 漏電流低同時，噪聲低互動式宣講，幾何探測效率高效高性，β探測效率高；
3) 可在真空環(huán)境下使用中自動化，AB系列探測器的α能量分辨率高提升；
4) CAM系統(tǒng)探測器表面可沖洗、可擦拭不折不扣。特殊定制可經(jīng)350℃高溫烘烤的特點。
二、SiC半導(dǎo)體探測器
圖1. SiC半導(dǎo)體探測器外形圖
圖2. SiC探測器測量241Am-α粒子能譜
（型號：SiC-CB10-20P有效保障，靈敏面積100mm2大數據，真空閉光下測量，偏壓50V講實踐，能量分辨率0.95%）
一數字技術、產(chǎn)品簡介
SiC探測器在抗高溫、抗輻射以及耐高擊穿電壓等方面的性能非常*市場開拓，SiC探測器可用于α措施、β、γ/X要落實好、n核輻射測量緊密相關，廣泛應(yīng)用于、核能先進技術、電子培訓、航天等領(lǐng)域。
二宣講手段、 產(chǎn)品特點(diǎn)
1) α能量分辨率高（≤1%@5.48MeV）重要工具，極低漏電流（≤10nA/cm2）
2) 耐高溫（烘烤溫度≤350℃）耐輻照（快中子≥1E14/cm2）
三、ZZSO中子探測器
圖1. ZZSO中子探測器n-γ響應(yīng)能譜
產(chǎn)品簡介
ZZSO中子探測器具有熱中子探測效率高配套設備、快慢中子響應(yīng)更優質、伽馬甄別能力強(qiáng)、時(shí)間響應(yīng)快推進高水平、輸出幅度大脫穎而出、噪聲低等優(yōu)點(diǎn)，各種規(guī)格的ZZSO探測器可用于中子個(gè)人劑量計(jì)生產創效、中子報(bào)警儀結構、中子巡測儀、中子當(dāng)量劑量儀等核儀器儀表新產品。
產(chǎn)品特點(diǎn)
1) 熱中子探測效率高去完善，快慢中子同時(shí)測量橋梁作用，中子伽馬同時(shí)測量
2) 靈敏度高長遠所需，時(shí)間響應(yīng)，中子-伽馬串?dāng)_率低
3) 長期穩(wěn)可靠性，集成度高規模，功耗低
