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RST5210F型電化學工作站是在RST5200F型的成熟基礎上增加四探針電阻率測試方法而來
RST5210F型電化學工作站是在RST5200F型的成熟基礎上增加四探針電阻率測試方法而來改革創新。該測試方法是檢驗和分析導體和半導體材料質量的一種重要的工具知識和技能，適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校及各類科研部門新模式。
四探針電阻率測試方法與電化學工作站中的其他方法一樣實現，軟件界面友好、參數(shù)設置簡單明了講理論。啟動測試后的可能性，儀器按設定的參數(shù)自動連續(xù)采集數(shù)據(jù)，在屏幕上實時顯示電阻-時間曲線服務為一體。測試結束后，根據(jù)電阻形態(tài)參數(shù)自動換算成電阻率及電導率逐漸顯現，無需人工計算全會精神。配備的專用電化學工作站軟件在電腦上運行，可隨時顯示拓展基地、保存集中展示、打印數(shù)據(jù)和圖形，以備存查分享。
本方法的設置參數(shù)有：電阻形態(tài)及尺寸共享、探針形狀及間距、激勵電流及可測電阻范圍方式之一、預熱時間生動、樣點間隔、樣點數(shù)量創新能力、被測器件電動勢等新品技。
測試工具可根據(jù)被測產(chǎn)品及測試項目的要求選購，配置不同的測試工具可滿足不同材料的測試要求求得平衡。
本儀器的四探針電阻率測量方法適用于分立電阻紮實做、線狀電阻、面狀電阻至關重要、塊狀電阻提供深度撮合服務、直流器件內阻。也就是說的發生，可測量導體及半導體材料的軸向電阻率組成部分、徑向電阻率、擴散層薄膜電阻率狀態。本儀器具有自動電位扣除功能技術節能，因此可測量含源直流器件內阻。
電阻形態(tài) | 例子 |
分立電阻 | 各種類型電阻器件 |
線狀電阻 | 銅線廣泛認同、銅棒國際要求、鋁線流動性、鋁棒、鐵絲競爭激烈、導電性纖維 |
面狀電阻 | 導電覆蓋膜持續創新、ITO導電膜玻璃、金屬化標簽空白區、半導體外延層擴散層協調機製、 觸屏薄膜聽得懂、合金類箔膜長效機製、電極涂料導電漆膜，蒸發(fā)鋁膜取得顯著成效，PCB銅箔膜 |
塊狀電阻 | 金屬方塊電阻約定管轄、金屬圓塊電阻數據、半導體材料晶塊、半導體材料晶圓大幅拓展、 導電橡膠發行速度、導電性塑料、導電性陶瓷與時俱進、導電性糊狀物 |
直流器件內阻 | 鋰離子電池性能、鉛酸蓄電池、干電池綜合運用、鈕扣電池 |
應用領域:
電化學教學 電化學分析
電化學合成 痕量元素檢測
電鍍工藝開發(fā) 電池材料研究
環(huán)境保護監(jiān)測 生物電化學傳感器
電解供給、冶金、制藥 半導體太陽能材料研究
電化學腐蝕研究測量 超級電容器特性測試分析
電池化成及特性測試分析 電壓及電流時間曲線記錄儀
儀器亮點:
具有六十九種電化學測量方法效果較好，緊跟電化學測量技術的發(fā)展前沿重要的意義。
的測量分辨率、精度及抗力等多個領域，滿足痕量組分檢測及精確標定再獲。
電位掃描范圍寬，±12.8V應用擴展，確保有機體驗區、鈍化、電池活動上、超級電容等測量有望。
大電流驅動，確保電解導向作用、儲能方案、腐蝕等大面積電極體系的應用。
豐富的智能測量、擬合技術及專業(yè)知識庫左右，極大地減輕實驗操作者的工作強度背景下。
激勵及采集速率高達10Msps，能適應高速掃描及高頻交流阻抗譜的測量需求可靠保障。
設有極性自然條件、電壓、電流開展、時間互動互補、鏈路保護機制，大大提升儲能電化學實驗的安全性意向。
一臺計算機可以同時連接兩臺相同的電化學工作站,同時測量分開掃描,數(shù)據(jù)共享深入實施。
主要技術指標：
儀器架構： | 恒電位儀、恒電流儀發展空間、交流阻抗頻譜儀 |
接地模式： | 可根據(jù)體系要求設置成實地模式或浮地模式 |
槽壓： | ±15V |
電位掃描范圍： | ±12.8V |
CV最小電位增量： | 0.0125mV |
電位控制精度： | <±0.5mV |
電位控制噪聲： | <0.01mV |
電位上升時間： | <0.00025mS |
電位測量零位： | 自動校正 |
電位更新及阻抗采集速率： | 10MHz |
電位測量低通濾波器： | 自動或手動設置 |
電位測量精度： | 滿量程的0.1% |
掃描速度： | 0.000001V/S～20000V/S |
參比電極輸入阻抗//電容： | >1013Ω//<10pF |
恒電流輸出： | ±500mA |
輸入偏置電流： | <0.1pA |
電流測量分辨率： | 電流量程的0.00076%研究進展，最小0.2fA |
電流測量零位： | 自動校正 |
電流測量量程： | 1pA～500mA(25檔) |
前置放大倍數(shù)： | 5×10×100 |
電流測量靈敏度： | 1×10-12A/V |
電流測量精度： | 滿量程的0.1% |
電流測量低通濾波器： | 自動或手動設置 |
方波伏安法頻率： | 1Hz~100kHz |
交流伏安法頻率： | 0.1Hz~10kHz |
交流阻抗譜頻率: | 0.00001Hz～1MHz（11個頻段） |
正弦波幅度: | 0.01mV～12V |
CA和CC脈沖寬度： | 0.1mS～1200S |
DPV脈沖寬度： | 0.05mS～64S |
IR降補償： | 自動或手動設置（10Ω~1MΩ） |
多階躍循環(huán)次數(shù)： | 1000次 |
限壓反饋恒流換向時間： | <0.1mS |
恒流限壓循環(huán)周期： | 0.1S~100000S |
脈沖電鍍//最小脈寬： | 八相脈沖可正可負//0.05mS |
電池全容量充電工步： | 激活、恒流連日來、恒壓、涓流 |
雙通道高速ADC： | 18bit@1Msps |
數(shù)據(jù)長度： | 20認為，000系統，000點 |
通氮攪拌及敲擊控制輸出： | 二路開關量信號（+5V/10mA） |
擴展輸出： | 二路光電隔離數(shù)字量信號 |
儲能電化學測量保護模式： | 極性、電壓重要意義、電流交流等、時間、鏈路 |
電極智能柔性保護： | 電壓超載規劃、電流超載 |
(2)四探針電阻測試方法參數(shù)及技術指標： | |
1.激勵電流范圍： | 10nA提高、100nA、1uA進入當下，10uA紮實，100µA，1mA新體系，10mA投入力度，100mA、200mA不難發現、500mA |
2.電壓范圍： | 0.5V貢獻法治，1V，2V發展需要，5V攻堅克難，10V |
3.電阻范圍： | 0.1mΩ～1GΩ |
4.方塊電阻范圍： | 0.5mΩ/sq～5GΩ/sq |
5.電阻率范圍： | 10-6～106Ωcm |
6.預熱時間： | 0~64秒 |
7.電阻精度： | ≤0.3% |
8.被測器件電動勢： | 無源或者E＜5mV，E＜0.5V，E＜1.5V雙向互動，E＜4.5V效率和安，E＜9.5V。 |
9.測量數(shù)據(jù)顯示： | 電流新品技、電壓範圍、電阻、方塊電阻深入交流、電阻率引領作用、電導率 |
10.整機不確定性誤差： | ≤4%（標準樣片結果） |
主要測試方法：
線性掃描伏安法LSV | 單電位階躍計時電流法CA |
線性掃描溶出伏安法 | 單電位階躍計時電量法CC |
線性掃描循環(huán)伏安法LCV | 多電位階躍計時電流法 |
階梯伏安法SV | 多電位階躍計時電量法 |
階梯溶出伏安法 | 單電流階躍計時電位法CP |
階梯循環(huán)伏安法SCV | 多電流階躍計時電位法 |
方波伏安法SWV | 恒電位電解I-T曲線 |
方波溶出伏安法 | 恒電位電解Q-T曲線 |
方波循環(huán)伏安法SWCV | 恒電位溶出I-T曲線 |
差示脈沖伏安法DPV | 恒電位溶出Q-T曲線 |
差示脈沖溶出伏安法 | 開路電位E-T曲線OCPT |
常規(guī)脈沖伏安法NPV | 電位溶出E-T曲線 |
差示常規(guī)脈沖伏安法DNPV | 控制電流E-T曲線 |
差分脈沖電流檢測 | 控制電位電解庫侖法 |
雙差分脈沖電流檢測 | 鍍錫量測定 |
三脈沖電流檢測 | 塔菲爾圖Tafel |
積分脈沖電流檢測 | 環(huán)形掃描 |
脈沖電鍍法 | 點蝕電位 |
電鍍電位監(jiān)測 | 電偶腐蝕 |
流體力學調制伏安法 | 電化學噪聲測量 |
交流伏安法ACV | 氯離子濃度監(jiān)測 |
交流溶出伏安法 | 宏電池電流監(jiān)測 |
交流循環(huán)伏安法ACCV | 半電池恒流陽極極化 |
二次諧波交流伏安法 | 半電池恒流陰極極化 |
傅里葉變換交流伏安法 | 半電池恒流循環(huán)極化 |
電流掃描計時電位法 | 電池恒流充電 |
交流阻抗譜EIS | 電池恒流放電 |
交流阻抗-電位 (阻抗模-電位、輻角-電位臺上與臺下、Mott-Schottky) | 電池恒流循環(huán)充放電 |
交流阻抗-時間 | 電池全容量分段充電 |
溶液電阻測量 | 電池全容量分段放電 |
微分電容-電位 | 恒流限壓快速循環(huán)充放電 |
微分電容-頻率 | 零阻電流計 |
高阻電位計 | 四探針方塊電阻測量 |
器件電阻電源內阻測量 | 刀型探頭方塊電阻測量 |
線狀材料電阻率測量 |
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*宏方法：用戶可自編腳本進行多種電化學方法的組合運行
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