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美能PID測(cè)試系統(tǒng)ME-PV-PID

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長(zhǎng)期泄漏電流會(huì)造成電池片載流子及耗盡層狀態(tài)發(fā)生變化、電路中的接觸電阻受到腐蝕飛躍、封裝材料受到電化學(xué)腐蝕等問(wèn)題更高效,從而導(dǎo)致電池片功率衰減、串聯(lián)電阻增大重要部署、透光率降低具體而言、脫層等影響組件長(zhǎng)期發(fā)電量及壽命的現(xiàn)象。

詳細(xì)信息 在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

什么是潛在誘導(dǎo)退化(PID)測(cè)試智慧與合力?

PID測(cè)試是對(duì)制造的模塊進(jìn)行的質(zhì)量保證測(cè)試喜愛,以預(yù)測(cè)它們?cè)诓煌瑮l件下長(zhǎng)時(shí)間的性能。對(duì)于太陽(yáng)能組件的PID測(cè)試開放要求,將組件置于85°C的溫度下向好態勢,濕度約為85%,并在1000v負(fù)載下持續(xù)96小時(shí)迎來新的篇章。PID測(cè)試模擬組件暴露在的次電壓和溫度條件下的功率損耗共創美好。

如何進(jìn)行潛在誘導(dǎo)退化(PID)試驗(yàn)?

為了進(jìn)行測(cè)試薄弱點,在兩個(gè)金屬電極之間放置了一組像模塊一樣的太陽(yáng)能電池、聚合物箔和玻璃層堆棧優化程度。在加熱底部(接地)電極的同時(shí)積極性,在模塊的上部電極上施加高正電壓(電壓相當(dāng)于PID)。

項(xiàng)目 內(nèi)容
電源

電壓范圍:-2000~2000V

電壓精度:0.5%FS

電壓分辨率:1V

電流能力:1mA

電流傳感器

測(cè)試范圍:-1~1mA

測(cè)試精度:0.5%FS

分辨率:0.001mA

數(shù)據(jù)采集卡

支持RS485通訊不斷豐富,支持0-5V實施體系、0-10V、4-20mA信號(hào)輸入

14位分辨率

20路模擬量輸入

T/C軟件組態(tài)各有優勢,低電壓電流輸入

隔離電壓:3000 Vdc

支持Modbus/RTU控制

DC24V供電

工控機(jī)

電源:300W

內(nèi)存:4G DDR

硬盤(pán):1T

顯示器:DELL-IN1940MW

測(cè)試線(xiàn)

材質(zhì):硅膠

耐壓等級(jí):25KV

芯徑:0.5mm2效果較好,多股銅絲

工作溫度:-60-250℃

外徑:5.8mm

長(zhǎng)度:標(biāo)配6m/套

溫濕度傳感器

溫度范圍:-40-120℃

精度:±1℃

濕度范圍:0-99%RH

精度:±3%RH


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