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Sinton少子壽命測試儀 SunsVoc Mx

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對(duì)于糊燒的優(yōu)化和過程控制來說是一臺(tái)優(yōu)秀的設(shè)備。開路方法表明了太陽能電池前體在結(jié)形成之后的數(shù)值薄弱點。

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

擴(kuò)散后制程控制

Suns-Voc階段對(duì)于在鋁燒覆蓋範圍,再次前網(wǎng)燃燒之后測量晶片是理想的。這使得這些步驟的優(yōu)化和監(jiān)測保持電壓積極性,獲得良好的歐姆接觸又進了一步,避免分流。

Suns-Voc 的強(qiáng)大應(yīng)用

通過直接探測p和n區(qū)多元化服務體系,或者探測金屬化層(如果存在)規劃,就能測量光-VOC曲線。此曲線可以顯示為我們的太陽VOC圖或以標(biāo)準(zhǔn)的光伏曲線的形式深度,光伏曲線可以用來表示分流的特征帶動擴大。整個(gè)曲線在開路狀態(tài)下測量,不受串聯(lián)電阻的影響開拓創新。

Suns-Voc系統(tǒng)特性

非常適用于漿料燒結(jié)優(yōu)化和過程控制持續發展。開路的方法指出了太陽能電池PN結(jié)形成后的上限值。

?硅片臺(tái)溫度控制在25℃

?細(xì)點(diǎn)電壓探頭

?磁探針兼容性促進善治、氙燈與中性密度過濾器

?可微調(diào)強(qiáng)度范圍的高度可調(diào)后柱

?顯示標(biāo)準(zhǔn)的I-V曲線格式和Suns-VOC曲線

?測量不受串聯(lián)電阻的影響的理想晶片特性

項(xiàng)目 內(nèi)容
每次測試報(bào)告的參數(shù)

開路下的暗IV曲線:材料對(duì)效率的限制

擬合效率

擬合填充因子

雙二極管分析

漏電分析

典型的經(jīng)過校準(zhǔn)的光照范圍 0.006-6suns
硅片尺寸供給,標(biāo)準(zhǔn)配置 上限230mm直徑/邊沿


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