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微區(qū)磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)

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克爾效應測量系統(tǒng)高性價比磁光克爾效應測量系統(tǒng)系統!當一束線偏振光照被磁性介質(zhì)反射后無障礙,反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度(克爾旋轉角),這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應

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克爾效應測量系統(tǒng)

高性價比磁光克爾效應測量系統(tǒng)快速融入!


當一束線偏振光照被磁性介質(zhì)反射后認為,反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度(克爾旋轉角),這一現(xiàn)象被稱為磁光克爾效應增強。后來這一效應被用來材料磁特性的研究重要意義。磁光克爾效應測量系統(tǒng)就是一套準確測量克爾旋轉角的設備。磁光克爾效應測量系統(tǒng)是對極向克爾效應和縱向克爾效應克爾偏轉角準確測量的設備更加廣闊,使得該設備成為研究磁性薄膜磁特性的測量工具規劃。廣泛的應用于磁性納米技術、磁性薄膜等領域可以使用。

磁光克爾效應測量系統(tǒng)以激光作為光源進入當下,由于樣品磁光克爾效應的磁性信號主要來自于光斑照射的區(qū)域,因此磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有良好的局域性效高化,可以實現(xiàn)在微米區(qū)域內(nèi)材料磁特性的研究新體系。此外以偏振激光束作為“探針”,因此對樣品不會造成任何損傷創造,實現(xiàn)對樣品的無損測量不難發現,這對于需要做多次測量的樣品是有利的。

磁光克爾效應測量系統(tǒng)具有的靈敏度設備製造,對克爾旋轉角的探測精度可達到±0.001度發展需要。這一點使該設備在磁性薄膜磁特性的研究中具有重要的地位。利用鐵芯電磁特產(chǎn)生外加磁場信息化,可以提供高達25KOe的外加磁場方式之一。

磁光克爾效應測量系統(tǒng)、磁性測量系統(tǒng)新型儲能、MOKE system創新能力、微米區(qū)域克爾磁光效應測量系統(tǒng)、測量裝置

上海昊量光電設備有限公司的磁光克爾測量系統(tǒng)主要可分為以下三類:
①  極向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統(tǒng))
代表產(chǎn)品是BH-810系列範圍。BH-810CPC25WF12磁光克爾效應(MOKE)測量設備是其中的一款求得平衡,主要是對12英寸的垂直磁記錄介質(zhì)磁特性的測量】臻g廣闊?梢詼蚀_的探測分析每個探測點的磁滯回線至關重要,該產(chǎn)品應用408nm的固體激光器提供深度撮合服務,光斑直徑為1mm,外加磁場可高達25KOe技術發展。




磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)





磁光克爾(MOKE)效應測量系統(tǒng)
②  向測量磁光克爾效應測量設備(MOKE磁滯回線測量系統(tǒng))
代表產(chǎn)品BH-618系列集聚效應。BH-618SK-CA12是一款自動測量晶圓磁特性和各向異性的磁光克爾測量系統(tǒng)≈匾侄??梢詫?2寸的晶圓進行多達400個不同點的磁滯回線的測量互動講,并且探測結果以成像的形式顯示。





③   微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng)(m-kerr system)(極向+縱向像一棵樹,MOKE磁滯回線測量系統(tǒng))
代表產(chǎn)品為BH-920系列過程中。與前兩款產(chǎn)品相比, BH-920系列擁有更小的激光光斑能運用,可以對微米區(qū)域內(nèi)的磁特性進行研究達到。BH-P920-NH是可進行極向的微區(qū)域磁光克爾效應測量系統(tǒng),該設備具有的靈敏度可達到0.001°不可缺少。與BH-P920-NH相比BH-PI920不但具相同的探測靈敏度并且兼具進行極向和縱向測量蓬勃發展。





u  主要特點
l  高性能
l  成本低
l  高靈敏度(0.001°)
l  高穩(wěn)定性
l  高外加磁場(25KOe)


u  主要應用
磁性納米技術、磁性薄膜重要的角色,磁性材料等磁學領域


u  測量項目  

磁滯回線    
X軸:外加磁場強度 H
Y軸:克爾旋轉角  qk

通過磁滯回線可獲得的參數(shù)    
矯頑力 Hc
各向異性場 Hk
內(nèi)稟矯頑力 Hn
飽和磁場強度 Hs
剩余磁化強度 qr
飽和磁化強度 qs


u  產(chǎn)品主要參數(shù):


產(chǎn)品型號

參數(shù)

BH-PI920系列

BH-P920-NH

BH-PI920

BH-810CPC25WF12

BH-618SK-CA12

產(chǎn)品特點

微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量

極向微區(qū)域克爾測量裝置開放要求,具有高靈敏度

微區(qū)域測量系統(tǒng)可滿足縱向/極向測量,具有較高的靈敏度

極向磁光克爾效應測量平臺建設,對PMR薄膜晶圓的磁特性測量

縱向磁光克爾測量系統(tǒng),可進行多點磁滯回線的測量

激光光源

半導體激光器(405nm)  



半導體激光器 408nm

半導體激光器(405nm

光斑直徑

縱向測量

約 5mm [1/e2]

1-2mm

2-3mm

1mm

12mm

極向測量

約 2mm [1/e2]

探測靈敏度

± 0.005°

±0.001°

±0.001°

± 0.005°

± 0.005°

探測范圍

± 1°





外加磁場強度

極向磁體

    >±10kOe

>±10kOe

極向磁場

>±1.5T

>±25kOe

>±0.2T

面內(nèi)磁場

>±10kOe

面內(nèi)磁場

>±1T

可測樣品大小

551tmm~10101tmm


55~1010mm

t0.5~1mm  

12inch wafer

12inch wafer









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