NIST SRM 2133 Si深度剖面中磷種植標準品旨在用于通過二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術校準對硅基質(zhì)中微量和痕量磷的二次離子響應覆蓋範圍。 SRM 2133 用于校準 SIMS 儀器對磷的響應特定儀器條件下的硅基體優化程度。它也可以被實驗室用作校準硅中磷工作標準的轉(zhuǎn)移標準。該 SRM 由一個 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成奮勇向前，該襯底已離子注入同位素 31P不斷豐富，標稱能量為 100 keV。
SRM 2133 已通過 31P 原子保留劑量認證組建。劑量以每單位面積的磷質(zhì)量單位表示各有優勢。基于 SIMS 分析重要的意義，提供了關于磷原子濃度隨地表以下深度變化的其他未經(jīng)認證的信息持續。
處理：
SRM的植入側(cè)是拋光的，反射面再獲。這一表面是清潔之前產品和服務，覆蓋包裝。使用前應立即用加壓除塵器將灰塵顆粒從表面清除體驗區。不推薦用氫氟酸蝕刻樣品增多，因為某些磷可以用表面氧化物去除。
儲存：當不使用時有望，NIST SRM 2133 Si深度剖面中磷種植標準品應該被儲存在原來的托盤中進一步推進，蓋被緊緊地固定著。
使用：
利用SIMS可以通過監(jiān)測一個或多個濺射離子種類來獲得有關物質(zhì)組成的信息最新，因為離子轟擊去除了連續(xù)的離子層技術創新。種屬的濃度值通常是用同一種屬的參考樣品在同一矩陣中校準的[5處理方法，6J]重要作用。
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