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具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱(chēng) 長(zhǎng)沙艾克賽普儀器設(shè)備有限公司
品牌
型號(hào)
所在地
廠商性質(zhì) 代理商
更新時(shí)間 2021/7/9 15:40:27
訪(fǎng)問(wèn)次數(shù) 245

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動(dòng)化結構，降低對(duì)人的依賴(lài)度管理；傳統(tǒng)的塑膠模具開(kāi)模后產(chǎn)品與澆口相連優化上下，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開(kāi)模前模樣，消除后續(xù)工序生產體系，有利于生產(chǎn)自動(dòng)化，降低對(duì)人的依賴(lài)很重要。

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牛津儀器電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra可安裝多種襯底電極能力和水平，能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力廣泛認同，該工藝模塊可提供具有高度均勻國際要求，高產(chǎn)量和高精度的工藝。電極的適用溫度范圍寬共同努力，-150C至400C 兼容200mm以下所有尺寸的晶...

詳細(xì)信息在線(xiàn)詢(xún)價(jià)

牛津儀器電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra可安裝多種襯底電極行業內卷，能夠在很寬的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行工藝，具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力逐漸完善，該工藝模塊可提供具有高度均勻參與能力，高產(chǎn)量和高精度的工藝。

電極的適用溫度范圍寬是目前主流，-150°C至400°C
兼容200mm以下所有尺寸的晶圓
快速更換到不同尺寸的晶圓工藝
購(gòu)置成本低且易于維護(hù)
緊密的設(shè)計(jì)充分發揮，布局靈活
實(shí)時(shí)清洗和終點(diǎn)監(jiān)測(cè)

牛津儀器電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra特征

牛津儀器的PlasmaPro 100系列具有200mm單晶圓和多晶圓批處理能力先進水平。該工藝模式可提供出色的均勻性培訓，高產(chǎn)量和高精度的工藝。
通過(guò)均勻的高導(dǎo)通路徑連接的腔室特征更加明顯，將反應(yīng)粒子輸送到襯底 - 在維持低氣壓的同時(shí)設計，允許使用較高的氣體通量
高度可變的下電極 - 充分利用等離子體的三維特性業務指導，在適合的高度條件下，襯底厚度可達(dá)10mm
電極的溫度范圍寬（-150°C至+ 400°C）就此掀開，可通過(guò)液氮長足發展，液體循環(huán)制冷機(jī)或電阻絲加熱 - 可選的吹排及液體更換單元可自動(dòng)進(jìn)行模式切換
由再循環(huán)制冷機(jī)單元供給的液體控溫的電極 - 出色的襯底溫度控制
射頻功率加載在噴頭上，同時(shí)優(yōu)化氣體輸送 - 提供具有低頻/射頻切換功能的均勻的等離子體工藝穩步前行，可精確控制薄膜應(yīng)力
ICP源尺寸為65mm結構不合理，180mm，300mm - 確保200mm晶圓的工藝均勻性
高抽氣能力 - 提供了更寬的工藝氣壓窗口
晶圓壓盤(pán)與背氦制冷 - 更適合的晶片溫度控制

牛津儀器電感耦合等離子體刻蝕PlasmaPro 100 Cobra應(yīng)用

III-V族材料的刻蝕工藝
固體激光器InP刻蝕
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
射頻器件低損傷GaN刻蝕
硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
類(lèi)金剛石（DLC）沉積
二氧化硅和石英刻蝕
用特殊配置的PlasmaPro FA設(shè)備進(jìn)行失效分析的干法刻蝕解剖工藝逐步改善，可處理封裝好的芯片意見征詢、裸晶片以及200mm晶圓
沉積高質(zhì)量的PECVD氮化硅和二氧化硅薄膜，用于光子學(xué)大大提高、電介質(zhì)層的必然要求、鈍化等諸多其它用途
用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕

ICP刻蝕是一種被廣泛使用的技術(shù)，可提供高速率取得了一定進展、高選擇比以及低損傷的刻蝕完善好。等離子體能夠在低氣壓下保持穩(wěn)定首次，因此能夠更好地控制刻蝕形貌。 Cobra® ICP刻蝕源在低氣壓下仍可產(chǎn)生高密度的反應(yīng)粒子部署安排。襯底上的直流偏壓由一個(gè)射頻發(fā)生器獨(dú)立控制, 因此可根據(jù)工藝要求控制離子能量增幅最大。

電感耦合等離子體刻蝕要點(diǎn)

高刻蝕速率
出色的均勻性
低氣壓下高密度的反應(yīng)粒子
精準(zhǔn)的襯底直流偏壓控制
精準(zhǔn)的離子能量控制
更寬的電極溫度范圍 -150ºC至+400ºC

電感耦合等離子體刻蝕特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

高刻蝕速率可由高離子密度（> 1011 /cm3）和高自由基密度來(lái)實(shí)現(xiàn)
能夠利用低離子能量實(shí)現(xiàn)對(duì)選擇比和損傷的控制
獨(dú)立的射頻和電感耦合等離子體發(fā)生器分別提供了對(duì)離子能量和離子密度的獨(dú)立控制, 從而實(shí)現(xiàn)了高度的工藝靈活性
在低氣壓工藝下同時(shí)仍具有高離子密度，這樣可以改善對(duì)外形的控制
化學(xué)和離子誘導(dǎo)刻蝕
也可以在RIE模式下運(yùn)行生產能力，以滿(mǎn)足某些慢速刻蝕的需要