4200A-SCS 是一種可以量身定制、全面集成的參數(shù)分析儀知識和技能，可以同步查看電流電壓(I-V)取得顯著成效、電容電壓(C-V)和超快速脈沖式I-V 特性。作為高性能的參數(shù)分析儀實現，4200A-SCS 加快了半導(dǎo)體不容忽視、材料和工藝開(kāi)發(fā)速度。

MOSFET, BJT 晶體管

材料表征

非易失性存儲(chǔ)設(shè)備

電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量

NBTI/PBTI

III-V 族器件

失效分析

納米器件

二極管和pn 聯(lián)結(jié)

太陽(yáng)能電池

傳感器

MEMS 器件

電化學(xué)

LED 和OLED

I-V 源測(cè)量單元 (SMU)

● ± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模塊

● 100 fA 測(cè)量分辨率

● 選配前端放大器提供了 10 aA 測(cè)量分辨率

● 10 mHz - 10 Hz 超低頻率電容測(cè)量

● 四象限操作

● 2 線(xiàn)或 4 線(xiàn)連接

C-V 多頻率電容單元 (CVU)

● AC 阻抗測(cè)量 (C-V, C-f, C-t)

● 1 kHz - 10 MHz 頻率范圍

● ± 30 V內(nèi)置 DC 偏置源可以使用，可以擴(kuò)展到 ± 210 V

● 選配 CVIV 多通道開(kāi)關(guān)進入當下，在 I-V 測(cè)量和 C-V 測(cè)量之間簡(jiǎn)便切換

脈沖式 I-V 超快速脈沖測(cè)量單元 (PMU)

● 兩個(gè)獨(dú)立的或同步的高速脈沖 I-V 源和測(cè)量通道

● 200 MSa/s，5 ns 采樣率

● ±40 V (80 V p-p)效高化，±800 mA

● 瞬態(tài)波形捕獲模式

● 任意波形發(fā)生器新體系，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率

高壓脈沖發(fā)生器單元 (PGU)

● 兩個(gè)高速脈沖電壓源通道

● ±40 V (80 V p-p)創造，± 800 mA

● 任意波形發(fā)生器不難發現，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率

I-V/C-V 多通道開(kāi)關(guān)模塊 (CVIV)

● 在 I-V 測(cè)量和 C-V 測(cè)量之間簡(jiǎn)便切換設備製造，無(wú)需重新布線(xiàn)或抬起探針

● 把 C-V 測(cè)量移動(dòng)到任意端子發展需要，無(wú)需重新布線(xiàn)或抬起探針

● 支持 ±210 V DC 偏置源

遠(yuǎn)程前端放大器 / 開(kāi)關(guān)模塊 (RPM)

● 在 I-V 測(cè)量、C-V 測(cè)量和超快速脈沖 I-V 測(cè)量之間自動(dòng)切換

● 把 4225-PMU 的電流靈敏度擴(kuò)展到數(shù)十皮安

● 降低電纜電容效應(yīng)