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CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)（4片裝）

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公司名稱 上海巨納科技有限公司
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廠商性質(zhì) 經(jīng)銷商
更新時間 2020/12/26 15:30:29
訪問次數(shù) 244

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動化，降低對人的依賴度領域；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連體系流動性，需二道工序進行人工剪切分離探索創新，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序實現了超越，有利于生產(chǎn)自動化新產品，降低對人的依賴。

產(chǎn)品簡介

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CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer

詳細信息在線詢價

CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer

Properties of Graphene/h-BN Film:

Single Layer Graphene Film on Single Layer h-BN Film transferred onto 285 nm (p-doped) SiO2/Si wafer

Size: 1cmx1cm; 4 pack

The thickness and quality of each film is controlled by Raman Spectroscopy

The coverage of this product is about 98%

The films are continuous, with minor holes and organic residues

High Crystalline Quality

The graphene film is premodominantly single layer (more than 95%) with occasional small multilayer islands (less than 5% bi-layers)

Sheet Resistance: 430-800 Ω/square

Properties of Silicon/Silicon Dioxide Wafers:
Oxide Thickness: 285 nm
Oxide Thickness: 285 nm
Color: Violet
Wafer thickness: 525 micron
Resistivity: 0.001-0.005 ohm-cm
Type/Dopant: P/Boron
Orientation: <100>
Front Surface: Polished
Back Surface: Etched