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參考價(jià) | 面議 |
- 公司名稱 沈陽(yáng)科晶自動(dòng)化設(shè)備有限公司
- 品牌
- 型號(hào)
- 所在地
- 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
- 更新時(shí)間 2020/10/26 19:22:12
- 訪問次數(shù) 199
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產(chǎn)品簡(jiǎn)介:DX-100系列 X射線單晶定向儀為單工作臺(tái)堅定不移,可滿足單晶晶體的定向測(cè)量。X射線單晶定向儀是光機(jī)電一體化的高科技精密儀器更讓我明白了,能快速地測(cè)定天然和人造晶體的晶面指導,可與各種切割、研磨等加工設(shè)備配套使用充分,是精密加工制造晶體器件*的儀器進一步完善。X 射線單晶定向儀利用 X 射線衍射原理為水晶、硅競爭力、鍺單晶調整推進、鈮酸鋰、鉭酸鋰機製性梗阻、釩酸釔機製、激光晶體全過程、光纖通訊晶體,以及其它各種單晶材料進(jìn)行定向探討,設(shè)備操作簡(jiǎn)單大型,是各種單晶材料科研機(jī)構(gòu)、生產(chǎn)企業(yè)較為理想的設(shè)備明確相關要求。DX-100 X射線單晶定向儀為單工作臺(tái)重要意義,設(shè)備分上有望、下機(jī)體振奮起來,體積小設計能力,便于放在桌面上測(cè)量有很大提升空間,可滿足單晶晶體的定向測(cè)量并能對(duì)晶體的好壞進(jìn)行相應(yīng)的判斷自然條件。
DX-100系列X射線單晶定向儀參數(shù)對(duì)比表
型 號(hào) | DX-100 | DX-100G |
主要特點(diǎn) | 1不斷進步、DX-100單晶定向儀分為上資料、下機(jī)體 晶體要求:適用于尺寸小的樣品。 晶體要求:適用于稍微大一些的樣品方法。 樣品臺(tái)描述:帶有小托板行動力,及彈簧 樣品臺(tái)描述:帶有小托板,及隔膜氣泵吸附功能切實把製度, 推進(jìn)式樣品固定裝置保供。 可滿足晶片及小晶塊的吸附測(cè)量。并且設(shè)備出廠時(shí) 會(huì)待有一個(gè)金屬墊塊進行部署,滿足稍微大些的晶塊測(cè)量責任。
※※※ 因?yàn)槭菃喂ぷ髋_(tái)保護好,所以只能任選其中一種組建。
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設(shè)備精度 | 設(shè)備綜合精度為±30″(以供方提供的標(biāo)準(zhǔn)石英片10ī1面測(cè)量) | 設(shè)備綜合精度為±15″(以供方提供的標(biāo)準(zhǔn)石英片10ī1面測(cè)量) |
小讀數(shù) | 10″ | |
儀器配置 | DX-100和DX-100G型X射線單晶定向儀由機(jī)臺(tái)、管套及各種機(jī)械附件組成的機(jī)械部分特點;由穩(wěn)壓器深刻變革、控制器、高壓變壓器部署安排、放大器搖籃、計(jì)數(shù)器技術、風(fēng)冷電機(jī)、X射線管及各種指示儀表組成的電氣部分構(gòu)成推動。 | |
技術(shù)指標(biāo) | (1)X射線發(fā)生器部分: X射線管:銅靶相對較高,風(fēng)扇冷卻,陽(yáng)極接地信息。 大管電壓:30KVP相關,全壓合閘。 管電流:0—5mA 連續(xù)可調(diào)首要任務,使用2.0mA以上,有可能損壞X光管并加大輻射危害不同需求。 (2)輸入電源:?jiǎn)蜗嘟涣?20V發展,50Hz,整機(jī)總耗電功率不大于0.3KW總之。 (3)角度測(cè)量范圍:2θ角:-5~+110° θ角:-5~+55° | |
衍射方式 | 單衍射 | 雙衍射 |
放大系統(tǒng) | 傳統(tǒng)放大器 | 新型放大器 |
接收系統(tǒng) | 計(jì)數(shù)管計(jì)數(shù)率為104/秒 | 計(jì)數(shù)管計(jì)數(shù)率為108/秒 |
接收器壽命 | 1年 | 3年以上 |
X光管壽命 | 按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)400小時(shí) (X光管可以使用3-4個(gè)月) | 是正常使用狀況下的2-3倍 (X光管至少可以使用一年) |
X管電流強(qiáng)度 | 1-1.5mA | 0.5-1.0mA |
測(cè)量和使用效果 | X光管使用2-3個(gè)月有可能出現(xiàn)多個(gè)假峰面向,影響準(zhǔn)確度。需要經(jīng)常更換X光管研學體驗,影響生產(chǎn)效率建設項目。 | 可以濾掉X光管的雜峰,不存在假峰現(xiàn)象落實落細。X光管可以使用1年左右相結合,不需要頻繁調(diào)整機(jī)器。 |
精度 | 精度±30秒(或±0.008度) | 精度±15秒(或±0.004度) |
輻射 | 測(cè)量時(shí)使用 mA量越來(lái)越大製高點項目,射線輻射量較大為產業發展。 | 測(cè)量時(shí)使用 mA量小,射線輻射量較小有所增加。 |
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