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晶圓級(jí)超快三維磁場(chǎng)探針臺(tái)

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該廠商其他產(chǎn)品

我也要出現(xiàn)在這里

法國(guó)Hprobe公司于2017年3月在法國(guó)格勒諾布爾地區(qū)成立,旨在為集成電路領(lǐng)域提供快速資源優勢、準(zhǔn)確和靈活的測(cè)試設(shè)備高效利用,主要應(yīng)用方向?yàn)榇烹S機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。MRAM技術(shù)作為芯片上系統(tǒng)嵌入式內(nèi)存(SoC)的替代技術(shù)估算,越來越多的微電子行業(yè)的主要廠商對(duì)MRAM技術(shù)感興趣講理論,相應(yīng)的測(cè)試設(shè)備需求也隨之增加,而Hprobe公司生產(chǎn)的IBEX-300晶圓級(jí)超快三維磁場(chǎng)探針臺(tái)為一個(gè)不錯(cuò)的選擇不要畏懼。相比于其他的探針臺(tái)服務為一體, IBEX-300晶圓級(jí)超快三維磁場(chǎng)探針臺(tái)是專門用于晶圓片在磁場(chǎng)作用下的表征和測(cè)試的儀器,它使用的三維磁場(chǎng)發(fā)生的可定制硬件逐漸顯現,為磁性器件(傳感器和存儲(chǔ)器)的開發(fā)要落實好、工藝和生產(chǎn)帶來了完整的測(cè)試解決方案。

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Hprobe應(yīng)用方向


■ 磁性隧道結(jié)

■ 磁隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

■ 集成磁傳感器(Hall, GMR, TMR)

■ 智能傳感器



Hprobe探針臺(tái)產(chǎn)品特點(diǎn)


■ 可以用于100~300mm晶圓

■ 提供大的面內(nèi)和垂直磁場(chǎng)

■ 磁場(chǎng)定向和旋轉(zhuǎn)的三維控制

■ 快速掃描能力

■ 嵌入式傳感器校準(zhǔn)

■ 自動(dòng)測(cè)試程序

■ MRAM和傳感器參數(shù)提取軟件

■ 與標(biāo)準(zhǔn)探針卡兼容

■ 快速掃場(chǎng)能力



Hprobe探針臺(tái)技術(shù)原理


探針臺(tái)采用*的三維磁場(chǎng)發(fā)生器更默契了,每個(gè)磁場(chǎng)空間軸獨(dú)立驅(qū)動(dòng)先進技術。利用這3個(gè)自由度,用戶可以在任意空間方向應(yīng)用和控制場(chǎng)不合理波動,也可以生成旋轉(zhuǎn)場(chǎng)宣講手段。三維磁場(chǎng)裝置配備了所有相關(guān)配件,測(cè)試程序和磁鐵校準(zhǔn)工具包積極拓展新的領域。

三維磁發(fā)生器置于探針臺(tái)頂部配套設備,并在晶圓上產(chǎn)生局部磁場(chǎng)。為了適應(yīng)器件測(cè)試設(shè)計(jì)相對開放,探頭被放置在晶圓片和發(fā)生器之間的間隙中推進高水平。磁場(chǎng)發(fā)生器和晶圓托之間的Z方向距離一般可在500μm至5mm之間可調(diào),取決于所使用的探針卡和探針。



Hprobe探針臺(tái)基本參數(shù)



面內(nèi) (XY)垂直 (Z)
大單軸磁場(chǎng) 350 mT550 mT
磁場(chǎng)均勻性@+/1mm± 1%± 1%
磁場(chǎng)分辨率0.05 mT0.02 mT
角度分辨率0,02°-
場(chǎng)掃描采樣率< 50 kHz< 50 kHz
R-H 回線測(cè)試時(shí)間< 100 ms< 100 ms



Hprobe探針臺(tái)儀器配置


Hprobe探針臺(tái)配備整套儀器驅(qū)動(dòng)和測(cè)量大多數(shù)磁性器件生產創效,如MRAM (STT結構、SOT、電壓控制)優化上下、傳感器(AMR能力建設、GMR、TMR)和磁性MEMS生產體系。儀器可以包括源表和測(cè)量單元(SMU)表現明顯更佳、數(shù)字萬用表(DMM)、任意波形發(fā)生器(AWG)技術節能、脈沖發(fā)生器(PG)指導、交換矩陣、數(shù)據(jù)采集板等國際要求。其他儀器可根據(jù)要求提供流動性,并且可以很容易地集成到工具的硬件和軟件中。


任意波形發(fā)生器(AWG)
+ 雙通道,帶寬 40MHz
+ 正弦波,方波 & 脈沖 至30MHz
+ 斜波& 三角波 至 200kHz
+ 任意波形< 1M采樣/通道
+ 大采樣速率250M采樣/秒


源表和測(cè)量單元(SMU)
+ 電壓小量程 20mV
+ 電流小量程 1nA
+ > 3,000 讀數(shù) /秒

脈沖發(fā)生器(PG)
+ 脈沖寬度小至 200 ps
+ 上升/下降時(shí)間< 70 ps (20%-80%)
+ 輸出電壓 10 mVpp 至 5 Vpp
+ 大重復(fù)頻率500 MHz 每通道l
+ 幅值大至 5V


數(shù)字萬用表(DMM)
+ 18 位, 小量程 100mV
+ 分辨率 10nV
+ 小積分時(shí)間 10µ秒


探針卡


Hprobe探針臺(tái)使用非常靈活行業內卷,用戶可以使用標(biāo)準(zhǔn)的商用探針卡追求卓越,也可以使用帶有DC和RF探頭的微操作器顯示。


測(cè)試程序

該測(cè)試程序包含了所有滿足用戶需求的功能勞動精神,從器件表征到產(chǎn)品開發(fā)自主研發,以及轉(zhuǎn)移至生產(chǎn)等的方法。它以三種模式運(yùn)行:

☆ 標(biāo)定模式–設(shè)置磁場(chǎng)配置并創(chuàng)建用戶定義的圖形

☆ 工程模式 –運(yùn)行預(yù)執(zhí)行的測(cè)試圖形或創(chuàng)建并運(yùn)行完整的自定義特性和測(cè)試

☆ 產(chǎn)品模式 –從工程模式中設(shè)置具有優(yōu)化測(cè)試時(shí)間的測(cè)試程序


預(yù)先實(shí)現(xiàn)的測(cè)試模式包括(有或沒有磁場(chǎng)):

☆ 開路/短路 測(cè)試

☆ AC/DC I-V, R-V 測(cè)試

☆ AC/DC 擊穿電壓測(cè)試

☆ 讀/寫脈沖測(cè)試

☆ R-H 角度/幅值 回線測(cè)試

☆ 誤碼率測(cè)試

☆ 器件循環(huán)和穩(wěn)定性測(cè)試







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