場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀HAD-9610A

一優勢領先、HAD-9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀概述 　
　 HAD-9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置持續創新，可用于標(biāo)稱 電流約在2-85A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試

場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀HAD-9610A

一空白區、HAD-9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀概述 　
　 HAD-9610A型功率場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀協調機製，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)測(cè)試裝置，可用于標(biāo)稱 電流約在2-85A形勢，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)功率場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)的測(cè)試實踐者。它可以準(zhǔn)確測(cè)量擊穿電壓 VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs約定管轄，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試電流可以達(dá)到50A數據，由于采 用脈沖電流測(cè)試法，即使在大電流測(cè)試時(shí)也不會(huì)對(duì)被測(cè)器件造成任何損壞發揮，更可以在大電流狀態(tài)下對(duì)場(chǎng)效 應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測(cè)試（配對(duì)）顯著；儀器可用于同等電流等級(jí)的IGBT參數(shù)的測(cè)量；儀器還是一臺(tái)性 能十分的電子元器件耐壓測(cè)試裝置開放以來，其測(cè)試耐壓時(shí)的漏電流有1mA占、250uA、25uA 三擋可以選擇提供了有力支撐。儀器 主要用于功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)激發創作、參數(shù)的配對(duì)及其它電子元器件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型 測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種進一步意見。儀器外型美觀增幅最大、性能穩(wěn)定、測(cè)量準(zhǔn)確生產能力、操作簡(jiǎn)單標準、使用安全方便。

二處理方法、HAD-9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀主要性能 　　
　　 1體驗區、擊穿電壓VDSS測(cè)量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。 　
　　　 2有望、IDSS可分三擋選擇： 1mA進一步推進、250uA、25uA 方案。
　　　　 3應用的選擇、柵極開(kāi)啟電壓VGS（th） 測(cè)量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 左右。
　　　　 4背景下、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 可靠保障。 　
　　 　5自然條件、Gfs跨導(dǎo)測(cè)試范圍：1—100 。

           場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀HAD-9610A

三開展、HAD-9610A場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀 MOS管測(cè)試儀主要測(cè)試功能 　
　　　 1互動互補、功率場(chǎng)效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開(kāi)啟電壓VGS(th)意向、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試意料之外。 　
　　　 2、IGBT的擊穿電壓V(BR)ces形式、柵極開(kāi)啟電壓VGE(th)置之不顧、跨導(dǎo)Gfs的測(cè)試。
　　　　 3數字化、功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測(cè)試方便，可用于配對(duì)。
　　　　 4各領域、對(duì)其它更大電流和功率的場(chǎng)效應(yīng)管及IGBT的測(cè)試：（見(jiàn)下面介紹）知識和技能。
　　　 　5、各類晶體三極管新模式、二極管實現、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測(cè)試。
　　　　 6組織了、壓敏電阻電壓的測(cè)試等服務體系。
四、測(cè)試盒與測(cè)試線
　　　　 1紮實、利用測(cè)試盒可以方便的測(cè)試TO-126效高化、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT投入力度。
　　　 　2創造、利用測(cè)試線可以測(cè)量其它金屬類不難發現、模塊類等封裝形式的功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT。