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UV-A單通道紫外輻照計進一步完善，采用SMT貼片技術(shù)集聚，選用高精度低功耗數(shù)字芯片，儀器外殼為流線型設(shè)計關規定，探測器經(jīng)過嚴格的光譜及角度特性校正發展基礎，性能穩(wěn)定，適用性強建強保護。適用于光化學同期、高分子材料老化、紫外光源使命責任、以及大規(guī)模集成電路光刻等領(lǐng)域的紫外輻照度測量工作效果。
UV-A單通道紫外輻照計
UV-A單通道紫外輻照計
采用SMT貼片技術(shù)，選用高精度低功耗數(shù)字芯片合規意識，儀器外殼為流線型設(shè)計可持續，探測器經(jīng)過嚴格的光譜及角度特性校正，性能穩(wěn)定體製，適用性強構建。適用于光化學、高分子材料老化服務延伸、紫外光源共創輝煌、以及大規(guī)模集成電路光刻等領(lǐng)域的紫外輻照度測量工作具有重要意義。
特點：
光譜及角度特性經(jīng)嚴格校正
數(shù)字液晶顯示，帶背光
手動/自動量程切換
數(shù)字輸出接口（USB,冗余供電）
低電量提醒
自動延時關(guān)機
有數(shù)字保持
輕觸按鍵操作大部分，蜂鳴提示
技術(shù)指標：
項目 | 參數(shù) | 備注 |
波長范圍λ1強大的功能，峰值波長λp | （320～400）nm，λP＝365nm | 用戶二選一 |
波長范圍λ2解決方案，峰值波長λp | （375～475）nm優勢，λP＝420nm | |
輻照度測量范圍 | (0.1～199.9×103) μW/cm2 |
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紫外帶外區(qū)雜光 | 0.02% |
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相對示值誤差 | ±8％（相對于NIM標準） |
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角度響應(yīng)特性 | ±5% （α≤10°） |
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線性誤差 | ±1% |
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換檔誤差 | ±1% |
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短期不穩(wěn)定性 | ±1%（開機30min后） |
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疲勞特性 | 衰減量<2% |
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零值誤差 | 滿量程的±1% |
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響應(yīng)時間 | <1秒 |
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使用環(huán)境 | 溫度(0~40)℃；濕度＜85％RH |
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尺寸和重量 | 160mm×78mm×43mm增產；0.2kg |
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電源 | 6F22型9V積層電池（非充電電池） |
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整機功耗 | ＜0.1VA |
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UV-A單通道紫外輻照計
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