不同于
電子芯片以電流為信息載體,光子芯片以光波為信息載體責任製,能實(shí)現(xiàn)
低功耗十分落實、
高帶寬、
低時(shí)延的效果規則製定。然而製造業,現(xiàn)階段的光子芯片受限于材料和技術(shù),面臨效率較低關規定、功能單一發展基礎、成本較高等挑戰(zhàn)。
近日建強保護,中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所一研究團(tuán)隊(duì)在光子芯片材料領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展同期,他們開發(fā)出鉭酸鋰異質(zhì)集成晶圓,并成功用其制作高性能光子芯片使命責任。
類似于電子芯片將電路刻在硅晶圓上效果,團(tuán)隊(duì)將光子芯片的光波導(dǎo)刻在鉭酸鋰異質(zhì)集成晶圓上。該集成晶圓是由“硅-二氧化硅-鉭酸鋰”組成的“三明治”結(jié)構(gòu)合規意識,其關(guān)鍵在于最上層薄約600納米的高質(zhì)量單晶鉭酸鋰薄膜及該薄膜與二氧化硅形成的界面質(zhì)量密度增加。
成功制作該薄膜得益于團(tuán)隊(duì)的“絕活”——“
萬能離子刀”
異質(zhì)集成技術(shù)。團(tuán)隊(duì)研究人員介紹現場,在鉭酸鋰材料表面下約600納米的位置注入離子高端化,就像埋入了一批精準(zhǔn)的“炸彈”,可以“削”下一層納米厚度的單晶薄膜我有所應,這樣制備出的鉭酸鋰薄膜與硅襯底結(jié)合起來提單產,就形成了鉭酸鋰異質(zhì)集成晶圓。
據(jù)悉至關重要,鉭酸鋰薄膜有優(yōu)異的電光轉(zhuǎn)換特性發展空間,可規(guī)模化制造有所應,應(yīng)用價(jià)值較高足了準備。相較于被廣泛看好的潛在光子芯片材料鈮酸鋰,鉭酸鋰薄膜制備效率更高著力提升、難度更低深刻內涵、成本更低傳遞,同時(shí)具有強(qiáng)電光調(diào)制、弱雙折射深入闡釋、更寬的透明窗口規模最大、更強(qiáng)的抗光折變等特性,極大擴(kuò)展了光學(xué)設(shè)計(jì)自由度統籌。
隨著光子芯片材料技術(shù)不斷改良和創(chuàng)新最深厚的底氣,有望在
激光雷達(dá)、精密測量等多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)應(yīng)用振奮起來,從而彌補(bǔ)我國在這一新材料領(lǐng)域的技術(shù)空白品質。
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