功率器件高壓TSDC測試系統(tǒng)的原理是什么最為突出？
產(chǎn)品概述：
熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測EMC的HTRB性能落實落細。TSDC方法包括極化過程，在該過程中高效化，電介質(zhì)樣品暴露在高電場強(qiáng)度和高溫環(huán)境下製高點項目。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)支撐能力。盡管單個(gè)TSDC信號和HTRB性能之間的相關(guān)性表明提高，極化峰值越
高示範，TSDC曲線越大長遠所需，而HTRB性能越差交流，但這并不能全解釋EMC在發(fā)出強(qiáng)放電信號時(shí)的某些故障。因此數字技術，弛豫時(shí)間是解釋外層HTRB失效樣本的另一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)奮戰不懈。
關(guān)于環(huán)氧塑封料（EMC， Epoxy Molding Compound）TSDC測試技術(shù)措施，為華測公司在國內(nèi)最早提及目前已被廣泛應(yīng)用到更多的半導(dǎo)體封裝材料及半導(dǎo)體生產(chǎn)研發(fā)企業(yè)大大縮短。已證明此測試方式是有效的，同時(shí)加速國產(chǎn)化IGBT緊密相關、MOSFET等功率器件的研發(fā)更默契了。如無錫凱華、中科科化培訓、飛凱材料等企業(yè)不合理波動。
產(chǎn)品原理：TSDC是一種研究電荷存儲(chǔ)特性的實(shí)驗(yàn)技術(shù)，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫重要工具，該方法包括一個(gè)極化過程積極拓展新的領域，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強(qiáng)度下。在此之后更優質，試樣在外加電場的作用下迅速進(jìn)行冷卻相對開放。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內(nèi)。然后進(jìn)行升溫將駐極體內(nèi)的電荷進(jìn)行釋放拓展應用，同時(shí)配合測量儀器進(jìn)行測量生產創效，并為科研人員進(jìn)行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導(dǎo)體HTRB可靠性的影響管理，了解到EMC在高溫優化上下、高壓條件下會(huì)發(fā)生電極化或電取向。此外模樣，依賴于在相應(yīng)的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)生產體系，它會(huì)干擾MOS-FET半導(dǎo)體中反轉(zhuǎn)層的正常形成。通過TSDC試驗(yàn)提供了遵循，我們還了解了在可靠性測試中由于應(yīng)用條件而導(dǎo)致的材料內(nèi)部極化電荷的數(shù)量也是一個(gè)重要的影響因素規模。
產(chǎn)品參數(shù)：
設(shè)備型號：HC-TSC
溫度范圍：-185 ~ 600°C
控溫精度：±0.25°C
升溫斜率：10°C/min（可設(shè)定）
測試頻率：最大電壓：±10kV
加熱方式：直流電極加熱
冷卻方式：水冷
樣品尺寸：φ＜25mm穩定發展，d＜4mm
電極材料：黃銅或銀
夾具輔助材料 ：99氧化鋁陶瓷
低溫制冷：液氮
測試功能 ：TSDC
數(shù)據(jù)傳輸：RS-232
設(shè)備尺寸 ：180 x 210 x 50mm
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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