憶阻器英文名為memristor, 用符號(hào)M表示，與電阻R逐步改善，電容C意見征詢，電感L構(gòu)成四種基本無(wú)源電路器件，它是連接磁通量與電荷之間關(guān)系的紐帶自動化裝置，其同時(shí)具備電阻和存儲(chǔ)的性能示範，是一種新一代高速存儲(chǔ)單元，通常稱為阻變存儲(chǔ)器 (RRAM)有很大提升空間。
憶阻器備受關(guān)注的重要應(yīng)用領(lǐng)域包括：非易失存儲(chǔ) (Nonvolatile memory)提供了有力支撐，邏輯運(yùn)算 (Logiccomputing)，以及類腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算 (Brain-inspired neuromorphic computing)等前景。這三種截然 不同又相互關(guān)聯(lián)的技術(shù)路線進一步意見，為發(fā)展信息存儲(chǔ)與處理融合的新型計(jì)算體系架構(gòu)，突破傳統(tǒng)馮 • 諾伊曼架構(gòu)瓶頸共享應用，提供了可行的路線生產能力。
在憶阻器研究不斷取得新成果的同時(shí)，基于憶阻器的多功能耦合器件也成為研究人員關(guān)注的熱點(diǎn)示範推廣。這些新型耦合器件包括： 磁耦合器件堅持好、光耦合器件、超導(dǎo)耦合器件大幅增加、相變憶阻器件特性、鐵電耦合器件等。
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
員.png)
7
立即詢價(jià)
您提交后大大縮短，專屬客服將第一時(shí)間為您服務(wù)