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1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測試系統(tǒng)

針對高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復方波電壓以及高溫工況問題，研制了針對高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測試系統(tǒng)（如圖1所示）全會精神，可實現(xiàn)電壓波形參數(shù)系統穩定性、溫度和氣壓的靈活調(diào)控，用于研究電壓類型（交集中展示、直流實力增強、重復方波電壓）、波形參數(shù)探索創新、氣體種類帶來全新智能、氣體壓力等因素對絕緣特性，具備放電脈沖電流測量新產品、局部放電測量去完善、放電光信號測量、漏電流測量及紫外光子測量等功能（如圖2所示）長遠所需，平臺相關參數(shù)：頻率：DC~20kHz求索，電壓：0~20kV，上升沿/下降沿：150ns可調(diào)規模，占空比：1%~99%穩定發展，溫度：25℃~150℃基石之一，氣壓：真空~3個大氣壓。 

2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)

針對高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題增持能力，研制了針對壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實驗系統(tǒng)（如圖3所示）共同努力，平臺具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局，柵極布線追求卓越，溫度和壓力分布的能力逐漸完善，可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對壓接型IGBT器件在開通/關斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究覆蓋，以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究異常狀況；平臺相關參數(shù)：電壓：0~6.5kV研究，電流：0~3kA高效，溫度：25℃~150℃，壓力：0~50kN提高。

圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實驗

3.高壓大功率IGBT器件可靠性實驗系統(tǒng)

隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進一步提升機構，對其可靠性考核裝備在測量精度、測試效率等方面提出了挑戰(zhàn)空白區。針對柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測試需求協調機製，自主研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測試裝備和100V/200°C高溫柵偏測試裝備（如圖4所示）。功率循環(huán)測試裝備可針對柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測試形勢，最多可實現(xiàn)12個IGBT器件的同時測試實踐者。電流等級、波形參數(shù)約定管轄、壓力均獨立可調(diào)數據，功率循環(huán)周期為秒級，極限測試能力可達 300 ms發揮，最高壓力達220 kN顯著，虛擬結(jié)溫測量精度達±1°C，導通壓降測量精度達±2mV開放以來。高溫柵偏測試裝備可實現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實時在線監(jiān)測占，最多可實現(xiàn)32個IGBT器件的同時測試。

4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測量方法及實現(xiàn)

高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測的基本手段提供了有力支撐，針對器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題激發創作，提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計算方法，實現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設計進一步意見，設計了針對器件電流測量的方形PCB羅氏線圈（如圖5所示）增幅最大，實現(xiàn)臨近芯片電流造成的測量誤差小于1%；針對器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測量的必然要求，提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測量的時序溫敏電參數(shù)法研究成果，通過各芯片柵極的時序單獨控制（如圖6所示）取得了一定進展，在各周期分別進行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測量，進而等效獲得一個周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布大面積。在此基礎上積極參與，完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測試PCB羅氏線圈以及時序溫敏電參數(shù)測量驅(qū)動板的設計（如圖7所示）。

5. 自主研制高壓大功率電力電子器件

面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件自主研制的需求培養，開展了芯片建模與篩選交流研討、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場建模以及器件多物理場調(diào)控等方面工作形式，相關成果支撐了國家電網(wǎng)公司能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A建設應用、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的自主研制，并通過柔直換流閥用器件的應用驗證實驗日漸深入，同時也支撐了世界shouge18kV 壓接型SiC IGBT器件的自主研制動力。