可評估薄膜導電性能的高溫四探針測試儀采用直排四探針法設(shè)計原理測量。主要用于評估半導體薄膜和薄片的導電性能全面闡釋，參考美國 A.S.T.M 標準設(shè)計非常激烈。重復性與穩(wěn)定性更好，采用雙屏蔽高頻測試線纜貢獻法治，提高測試參數(shù)的精確度設備製造，同時抗干擾能力更強。本設(shè)備也可應用于產(chǎn)品檢測以及新材料電學性能研究等用途攻堅克難。
高溫四探針測試儀的測量原理：
測量電阻率的方法很多管理，如三探針法、電容-電壓法雙向互動、擴展電阻法等效率和安，四探針法則是一種廣泛采用的標準方法，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理品牌，同時采用了雙電測組合四探針法深入開展。
經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率，要求使用等間距的探針等形式，如果針間距離不等或探針有游移技術的開發，就會造成實驗誤差。當被測片較小或在大片邊緣附近測量時飛躍，要求計入電場畸變的影響進行邊界修正更高效。
采用雙電測組合四探針的出現(xiàn)，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準確度創(chuàng)造了有利條件重要部署。
高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法的優(yōu)勢：
可按用戶要求訂制非標產(chǎn)品
華測儀器--致力于材料電學測試技術(shù)
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