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　　鐵電存儲器的基本存儲單元一般有兩結(jié)構(gòu)就能壓製，分別為 1T1C(One transistor one capacitance)結(jié)構(gòu)和 2T2C (Two transistor two capacitance)結(jié)構(gòu)更合理，如圖 2-3 所 示。前者使用一個(gè)晶體管及一個(gè)鐵電電容組成一個(gè)存儲單元更優美，而后者則各為兩個(gè)各方面。1T1C 結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)是能夠非常大的節(jié)省存儲單元所占芯片面積，但是該結(jié)構(gòu)會(huì)導(dǎo)致陣列中位線(Bit Line)的電壓差變低成效與經驗，讀出時(shí)對靈敏放大器的要求會(huì)更高善謀新篇；2T2C 結(jié)構(gòu)雖然會(huì)使用更大的面積，但是由于每個(gè)存儲單元都含有兩個(gè)鐵電電容便利性，其陣列中兩根位線上的電壓差會(huì)更大方法，讀出時(shí)準(zhǔn)確性會(huì)更高。
 

　　在本文中提供有力支撐，我們采用 2T2C 型存儲單元作為我們設(shè)計(jì)的鐵電存儲器的基本存儲單元切實把製度。2T2C 結(jié)構(gòu)由兩個(gè)晶體管和兩個(gè)鐵電電容組成，其連接方式如圖 2-3 右圖所示自行開發，該存儲單元包含 4 根與外部連接的信號進行部署。其中 WL(Word Line)為字線責任，連接到兩個(gè)晶體管的柵極，用于控制兩個(gè) NMOS 晶體管的開關(guān)保護好；BL組建、BLN 為位線，用于向存儲單元中寫入或讀出數(shù)據(jù)系列；PL(Plate  ine)為板線作用，連接到鐵電電容的一極，用于給鐵電電容充電使其極化慢體驗；Fcap1 與 Fcap2 是兩個(gè)鐵電電容著力增加，其一極共同連接至 PL，另一極分別與兩個(gè) NMOS 相連科技實力，當(dāng) WL 開啟時(shí)處理，這一極便可以與位線導(dǎo)通。