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光學(xué)設(shè)備在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的部分應(yīng)用

半導(dǎo)體是指具有半導(dǎo)體特性的材料交流等，它們?cè)谝欢l件下能夠傳導(dǎo)電流更加廣闊，但在其他條件下卻能阻止電流的通過。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間提高。常見的半導(dǎo)體材料包括硅可以使用、鍺、砷化鎵等紮實。

半導(dǎo)體作為當(dāng)代科技的核心組成部分效高化，半導(dǎo)體目前在電子、通信投入力度、計(jì)算機(jī)創造、醫(yī)療、光伏和汽車領(lǐng)域發(fā)揮著舉足輕重的作用。通過對(duì)半導(dǎo)體材料設備製造、工藝和使用技術(shù)的不斷探索發展需要，未來在新材料和新工藝的研究與應(yīng)用、集成化與智能化信息化、環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展方式之一、生物電子與神經(jīng)科技和量子計(jì)算與量子通信等領(lǐng)域都極可能是新的趨勢。

半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造需要數(shù)百個(gè)工藝新型儲能，通常來講創新能力，整個(gè)制造過程分為八個(gè)步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。

卓立漢光作為國內(nèi)一家光譜範圍、光機(jī)和激光設(shè)備制造商求得平衡，在半導(dǎo)體制造過程中可以提供一些加工或者測試設(shè)備。

晶圓加工：

所有半導(dǎo)體工藝都始于一粒沙子空間廣闊！因?yàn)樯匙铀墓枋巧a(chǎn)晶圓所需要的原材料加強宣傳。晶圓是將硅(Si)或砷化鎵(GaAs)制成的單晶柱體切割形成的圓薄片。要提取高純度的硅材料需要用到硅砂用的舒心，一種二氧化硅含量高達(dá)95%的特殊材料技術發展，也是制作晶圓的主要原材料。晶圓加工就是制作獲取上述晶圓的過程集成。

在晶圓切割中重要手段，卓立漢光提供壓電系列產(chǎn)品，比如Carrier系列物鏡對(duì)焦臺(tái)和Carrier系列多維運(yùn)動(dòng)位移臺(tái)穩定性。

亞納米物鏡自動(dòng)對(duì)焦臺(tái)Carrier.OBHLxx.C.HV系列

特點(diǎn)：

• 最快穩(wěn)定時(shí)間(90% 位置穩(wěn)定) 15ms 以內(nèi)

• 閉環(huán)分辨率優(yōu)于 1nm

• 最大負(fù)載 500 g

• 控制器兼容多場科技 Motion Controller - Archimedes Series

• 支持無磁 (.NM) 像一棵樹、高真空 (HV) 和超高真空 (.UHV) 選件

Carrier.S200.xy/xyz.C系列中空壓電掃描臺(tái)

產(chǎn)品特?

• 兩維度XY 掃描運(yùn)動(dòng) 200 um × 200 um；

• 閉環(huán)定位精度優(yōu)于 1nm去突破；

• 最?負(fù)載 500 g能運用；

• 針對(duì)光學(xué)顯微鏡-超分辨定制化解決?案；

• ?持?磁( .NM)和?真空( .UHV)選件升級(jí)

CarrierHS100.xxx.C/S系列中空壓電掃描臺(tái)

• 閉環(huán)分辨率優(yōu)于 1nm

• 最大負(fù)載 3.5 kg

• 針對(duì)光學(xué)顯微鏡-超分辨定制化解決方案

• 支持無磁 (NM) 和高真空 (UHV) 選件升級(jí)

光刻

光刻是通過光線將電路圖案“印刷"到晶圓上智能設備，我們可以將其理解為在晶圓表面繪制半導(dǎo)體制造所需的平面圖不可缺少。電路圖案的精細(xì)度越高，成品芯片的集成度就越高特點，必須通過先進(jìn)的光刻技術(shù)才能實(shí)現(xiàn)重要的角色。具體來說，光刻可分為涂覆光刻膠向好態勢、曝光和顯影三個(gè)步驟。

在光刻工藝中服務機製，卓立漢光可以提供主動(dòng)隔振臺(tái)貢獻力量、氣浮直線電機(jī)、單維或多維掃描描臺(tái)和物鏡對(duì)焦臺(tái)等壓電產(chǎn)品和193nm激光器。

主動(dòng)隔振臺(tái)

主要特征

• 無低頻共振 - 低頻范圍內(nèi)具有優(yōu)異的隔振特性

• 低至0.6Hz開始主動(dòng)隔振(>200Hz被動(dòng)隔振）

• 只需0.3秒的設(shè)置時(shí)間

• 自動(dòng)調(diào)節(jié)負(fù)載

• 因固有剛度具有高度的位置穩(wěn)定性

• 接電即可發行速度，無需壓縮空氣

• 真正的主動(dòng)隔振：即時(shí)產(chǎn)生反作用力來抵消振動(dòng)

氣浮直線電機(jī)

特點(diǎn)：

• 最高可實(shí)現(xiàn)1um左右的運(yùn)動(dòng)直線度與運(yùn)動(dòng)平行度更加堅強。

• 最高可實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)別定位精度

• 支持龍門結(jié)構(gòu)定制。

• 氣浮直線電機(jī)是實(shí)現(xiàn)長行程性能、大負(fù)載初步建立、高速、高精度的需求的*優(yōu)解供給。

深紫外單縱模固體激光器Ixion193

IXION 193為全固化單頻激光器的方法，其線寬達(dá)到變換極限，可用于光學(xué)計(jì)量進行探討、193nm 步進(jìn)光學(xué)系統(tǒng)校準(zhǔn)帶動產業發展、高功率準(zhǔn)分子激光器種子等。

典型應(yīng)用：

• 光譜儀校準(zhǔn)十分落實；

• 光刻倍增效應；

• 干涉儀；

• 193nm 計(jì)量測量

• 準(zhǔn)分子激光器種子源

薄膜沉積

為了創(chuàng)建芯片內(nèi)部的微型器件製造業，需要不斷地沉積一層層的薄膜并通過刻蝕去除掉其中多余的部分優化服務策略，另外還要添加一些材料將不同的器件分離開來。每個(gè)晶體管或存儲(chǔ)單元就是通過上述過程一步步構(gòu)建起來的發展基礎。這里所說的“薄膜"是指厚度小于1微米（μm兩個角度入手，百萬分之一米）、無法通過普通機(jī)械加工方法制造出來的“膜"顯示。將包含所需分子或原子單元的薄膜放到晶圓上的過程就是“沉積"創新為先。

要形成多層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，需要先制造器件疊層科普活動，即在晶圓表面交替堆疊多層薄金屬（導(dǎo)電）膜和介電（絕緣）膜創新延展，之后再通過重復(fù)刻蝕工藝去除多余部分并形成三維結(jié)構(gòu)￠L期間？捎糜诔练e過程的技術(shù)包括化學(xué)氣相沉積 (CVD)基本情況、原子層沉積 (ALD) 和物理氣相沉積 (PVD)，采用這些技術(shù)的方法又可以分為干法和濕法沉積兩種高端化。

化學(xué)氣相沉積

原子層沉積

物理氣相沉積

在薄膜沉積的過程中力量，卓立漢光可以提供一系列的壓電位移臺(tái)，比如：LsXX.lab/LsXX.lab.系列壓電納米線性位移臺(tái)

特點(diǎn)：

• 超安靜運(yùn)動(dòng)提單產，20HzZ驅(qū)動(dòng)頻率

• 閉環(huán)控制·位置傳感支持電阻型(R和光學(xué)型(.0)

• 高精度空間傳感分辨率(.0)10nm(默認(rèn))深入實施；4.88nm2.44nm,lnm可選

• 經(jīng)濟(jì)型空間傳感分辨率(R)100-200nm

• *小步伐約10 nm

• 可提供多軸堆疊安裝轉(zhuǎn)接件

• 控制器兼容旋轉(zhuǎn)臺(tái)，搖擺臺(tái)

•高真空 (HV) 和超高真空支持無磁 (NM) 發展空間、(UHV) 選件

晶圓測試

半導(dǎo)體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)針對(duì)第三代半導(dǎo)體效果，如GaN有所應、InGaN、AlGaN等合作關系，進(jìn)行溫度相關(guān)光譜和熒光壽命測試著力提升。同時(shí)可測量外延片的膜厚、反射率及相應(yīng)的Mapping圖傳遞。

熒光光譜的峰值波長融合、光譜半寬、積分光強(qiáng)規模最大、峰強(qiáng)度穩中求進、熒光壽命與電子/空穴多種形式的輻射復(fù)合相關(guān)，雜質(zhì)或缺陷濃度成效與經驗、組分等密切相關(guān)適應性，通過白光干涉技術(shù)測量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翹曲度稍有不慎。

半導(dǎo)體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)

半導(dǎo)體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步和更新重要作用，卓立漢光也會(huì)及時(shí)推出符合科研和工業(yè)生產(chǎn)需要的配套加工和檢測設(shè)備，敬請(qǐng)關(guān)注最為顯著。