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技術(shù)背景與行業(yè)痛點(diǎn)

半導(dǎo)體制造進(jìn)入納米級(jí)工藝時(shí)代提供堅實支撐，晶圓缺陷檢測(cè)面臨三大挑戰(zhàn)：

1）深紫外波段光學(xué)噪聲干擾：傳統(tǒng)偏振片在200-400nm波段透光率不足還不大，導(dǎo)致缺陷信號(hào)被噪聲掩蓋；

2）真空腔體污染風(fēng)險(xiǎn)：雜散光吸收材料釋氣率超標(biāo)引發(fā)EUV光刻系統(tǒng)穩(wěn)定性下降信息化技術；

3）套刻誤差測(cè)量精度不足：位置探測(cè)器線性度誤*＞0.5%時(shí)發揮作用，28nm以下圖形套刻偏差難以控制。

本方案整合Moxtek逐步顯現、Acktar銘記囑托、On-Trak三家光學(xué)元件產(chǎn)品，覆蓋“光路控制-雜散光抑制-定位測(cè)量”等方面檢測(cè)需求自動化裝置，為28nm以下晶圓缺陷檢測(cè)技術(shù)提供關(guān)鍵光學(xué)元件支撐示範。

核心光學(xué)元件技術(shù)解析

Moxtek金屬線柵紫外偏振片

型號(hào)：UVT240A/UVX240A/UVD240A/UCMNATC0

技術(shù)突破：

• 200-400nm波段＞80%透光率：采用納米線柵刻蝕技術(shù)，在266nm典型波長(zhǎng)下透過(guò)率＞80%有很大提升空間，消光比＞1000:1運行好；可升級(jí)193nm偏振片

• 250℃耐熱鍍膜：滿足半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備高溫工況需求，鍍膜層無(wú)熱變形可能性更大。

應(yīng)用場(chǎng)景：用于晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備部署安排，可有效提高缺陷檢測(cè)尺度；光刻膠曝光，可有效提供曝光分辨率

關(guān)鍵性能參數(shù)：

Acktar雜散光吸收膜：消除晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備光路中雜散光

型號(hào)：Magic Black/Vacuum Black/Fractal Black/Ultra Black/Metal Velvet

技術(shù)突破：

• 非金屬無(wú)機(jī)涂層：100%無(wú)機(jī)物構(gòu)成推廣開來，CVCM釋氣率＜0.001%研究成果，RML釋氣率＜0.2%；

• EUV-VIS-IR全波段吸收：工作波長(zhǎng)覆蓋EUV-FIR（極紫外至遠(yuǎn)紅外）完善好，涂層厚度很薄大面積，完*由非金屬和氧化物構(gòu)成，不含有機(jī)物質(zhì)問題分析，涂層厚度3-25μm可控培養。

• 廣泛適用性：氣體釋放量極低，與蝕刻和剝離工藝完*兼容更加完善，適用于真空形式、低溫和潔凈室環(huán)境

應(yīng)用場(chǎng)景：消除晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備光路中雜散光，可有效提高缺陷檢測(cè)尺度

關(guān)鍵性能參數(shù)：

On-Trak位置靈敏探測(cè)器：納米級(jí)套刻誤差測(cè)量?jī)x

型號(hào)：PSM2-4/PSM2-10/PSM2-20/PSM2-45

技術(shù)突破：

• 0.1%線性度誤差：采用雙橫向硅探測(cè)器結(jié)構(gòu)支撐作用，PSM2-4型號(hào)位置分辨率達(dá)100nm日漸深入；

• 5nm位置分辨率：PSM2-10G針墊式四橫向鍺探測(cè)器在800-1800nm波段實(shí)現(xiàn)5μm分辨率。

應(yīng)用場(chǎng)景：在半導(dǎo)體應(yīng)用中同時，位置靈敏探測(cè)器因其能夠精確測(cè)量光點(diǎn)互動式宣講、粒子束或輻射的位置信息而發(fā)揮著關(guān)鍵作用，主要應(yīng)用于需要高精度定位模式、對(duì)準(zhǔn)自動化、測(cè)量和控制的設(shè)備和工藝環(huán)節(jié)。

關(guān)鍵性能參數(shù)：

PRO紫外反射鏡組：復(fù)雜光路緊湊化設(shè)計(jì)

型號(hào)：PRO#120/PRO#160/PRO#190

技術(shù)突破：

• 120-320nm定制波長(zhǎng)：反射/透射率＞40%高品質，支持EUV光刻機(jī)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)不折不扣；

• 緊湊化光路設(shè)計(jì)：直徑25.4-50.8mm可選，適配不同檢測(cè)設(shè)備空間需求資源優勢。

應(yīng)用場(chǎng)景：適用于晶圓表面的缺陷檢測(cè)高效利用，光刻機(jī)（對(duì)準(zhǔn)和監(jiān)控系統(tǒng)），套刻誤差測(cè)量?jī)x估算；

關(guān)鍵性能參數(shù)

結(jié)語(yǔ)：

本方案通過(guò)整合國(guó)*領(lǐng)*的光學(xué)元件講理論，構(gòu)建了28nm以下晶圓缺陷檢測(cè)的“光學(xué)基準(zhǔn)元件”方案。其核心價(jià)值在于突破深紫外波段光學(xué)控制奮戰不懈、真空環(huán)境兼容性市場開拓、納米級(jí)測(cè)量三大技術(shù)壁壘，為中國(guó)半導(dǎo)體制造向14nm大大縮短、7nm工藝躍遷提供關(guān)鍵檢測(cè)技術(shù)關(guān)鍵元件支撐要落實好。

讓每一顆芯片的缺陷無(wú)所遁形——這是光學(xué)技術(shù)的極限挑戰(zhàn)，更是中國(guó)半導(dǎo)體制造的精度宣言更默契了。