四探針粉末電導(dǎo)率測試儀本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示極致用戶體驗，同時顯示電阻值、電阻率應用、方阻建議、電導(dǎo)率值、溫度相貫通、壓強(qiáng)值不斷發展、單位自動換算，配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求自動化方案。測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.

四探針粉末電導(dǎo)率測試儀四探針粉末電導(dǎo)率測試儀

導(dǎo)體材料電阻率測試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種緊密協作。以下文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。但凡注日期的引用文件線上線下，其隨后所有的修改單(不包括訂正的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)發揮重要作用，然而，鼓勵根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本數據顯示。但凡不注日期的引用文件高質量，其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)也逐步提升。GB/T 1552硅、儲單晶電阻率測定直排四探針法樣品臺和操針架樣品臺和探針架應(yīng)符合GB/T152 中的規(guī)定智能設備。樣品臺上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn)360"的裝置。其誤差不大于士5"蓬勃發展，測量裝置測量裝置的典型電路叉圖1特點，范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法重要性。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量直徑大于15.9mm的由外延又進了一步、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻多元化服務體系。硅片基體導(dǎo)電類型與被測薄層相反規劃。適用于測量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測量便利性，但其測量準(zhǔn)確度尚未評估全面展示。使用直排四探針測量裝置、使直流電流通過試樣上兩外探件深刻認識，測量兩內(nèi)操針之間的電位差核心技術，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計算出薄層電阻主動性。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜創造性，高、低溫電熱膜;隔熱道路、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布規模設備、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽指導、合金類箔膜;熔煉競爭力、燒結(jié)、濺射進一步完善、涂覆製造業、涂布層，電阻式關規定、電容式觸屏薄膜;電極涂料發展基礎，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測試采用四探針組合雙電測量方法建強保護，液晶顯示同期，自動測量，自動量程使命責任，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)效果、恒流輸出使用；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法密度增加。利用電流探針有效性、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測量機遇與挑戰，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析廣泛關註，解決樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測量方法集成技術，液晶顯示就能壓製，自動測量，自動量程大部分，自動系數(shù)補償.高集成電路系統(tǒng)強大的功能、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量解決方案。該儀器設(shè)計符合單晶硅物理測試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)優勢。利用電流探針、電壓探針的變換增產，進(jìn)行兩次電測量結構，對數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸貢獻、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響.