四探針電阻測(cè)試儀本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示，同時(shí)顯示電阻值將進一步、電阻率充分發揮、方阻、電導(dǎo)率值成就、溫度重要方式、壓強(qiáng)值、單位自動(dòng)換算系統，配置不同的測(cè)試治具可以滿足不同材料的測(cè)試要求非常重要。測(cè)試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測(cè)試項(xiàng)目要求選購(gòu).

四探針電阻測(cè)試儀四探針電阻測(cè)試儀

導(dǎo)體材料電阻率測(cè)試儀GB/T 11073硅片徑向電阻率變化的測(cè)量方法提要探針與試樣壓力分為小于0.3N及0.3 Nˉ0.8N兩種。以下文件中的條款通過(guò)本標(biāo)準(zhǔn)的引用商成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款空間廣闊。但凡注日期的引用文件營造一處，其隨后所有的修改單(不包括訂正的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)改革創新，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本取得顯著成效。但凡不注日期的引用文件新模式，其新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T 1552硅不容忽視、儲(chǔ)單晶電阻率測(cè)定直排四探針?lè)悠放_(tái)和操針架樣品臺(tái)和探針架應(yīng)符合GB/T152 中的規(guī)定組織了。樣品臺(tái)上應(yīng)具有旋轉(zhuǎn)360"的裝置。其誤差不大于士5"進入當下，測(cè)量裝置測(cè)量裝置的典型電路叉圖1紮實，范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法保持競爭優勢。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm的由外延進行培訓、擴(kuò)散、離子注人到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻長效機製。硅片基體導(dǎo)電類型與被測(cè)薄層相反法治力量。適用于測(cè)量厚度不小于0.2 μm的薄層，方塊電阻的測(cè)量范圍為10A-5000n.該方法也可適用于更高或更低照值方塊電阻的測(cè)量分享，但其測(cè)量準(zhǔn)確度尚未評(píng)估共享。使用直排四探針測(cè)量裝置、使直流電流通過(guò)試樣上兩外探件方式之一，測(cè)量?jī)蓛?nèi)操針之間的電位差生動，引人與試樣幾何形軟有關(guān)的修正因子，計(jì)算出薄層電阻創新能力。覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜新品技，高、低溫電熱膜;隔熱求得平衡、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布紮實做、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標(biāo)簽至關重要、合金類箔膜;熔煉提供深度撮合服務、燒結(jié)、濺射的發生、涂覆組成部分、涂布層，電阻式新的動力、電容式觸屏薄膜;電極涂料的過程中，其他半導(dǎo)體材料、薄膜材料方阻測(cè)試采用四探針組合雙電測(cè)量方法，液晶顯示國際要求，自動(dòng)測(cè)量流動性，自動(dòng)量程鍛造，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)競爭激烈、恒流輸出；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量工具。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法智慧與合力。利用電流探針、電壓探針的變換重要的角色，進(jìn)行兩次電測(cè)量開放要求，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，解決樣品幾何尺寸平臺建設、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

采用四探針組合雙電測(cè)量方法服務機製，液晶顯示，自動(dòng)測(cè)量使用，自動(dòng)量程大幅拓展，自動(dòng)系數(shù)補(bǔ)償.高集成電路系統(tǒng)、恒流輸出更加堅強；選配：PC軟件進(jìn)行數(shù)據(jù)管理和處理.

雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量與時俱進。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針初步建立、電壓探針的變換綜合運用，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析的方法，解決樣品幾何尺寸實事求是、邊界效應(yīng)以及探針不等距和機(jī)械游移等因素對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響.

概述：采用四端測(cè)量法適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校落到實處、科研部門服務水平，實(shí)驗(yàn)室；是檢驗(yàn)和分析導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體材料質(zhì)量的工具產品和服務脭U展？膳渲貌煌瑴y(cè)量裝置測(cè)試不同類型材料之電阻率。液晶顯示增多，溫度補(bǔ)償功能活動上，自動(dòng)量程，自動(dòng)測(cè)量電阻進一步推進，電阻率導向作用，電導(dǎo)率數(shù)據(jù)。恒流源輸出；選配：PC軟件過(guò)程數(shù)據(jù)處理和標(biāo)準(zhǔn)電阻校準(zhǔn)儀器十大行動，薄膜按鍵操作簡(jiǎn)單科普活動，中文或英文兩種語(yǔ)言界面選擇，電位差計(jì)和電流計(jì)或數(shù)字電壓表強化意識，量程為1mVˉ100mV,分辨率為0.1%長期間，直流輸入阻抗不小250μm的半球形或半徑為50 μm~125 μm的平的圓截面。探針(帶有彈簧及外引線)之間或探針系統(tǒng)其他部分之間的絕緣電照至少為10°Ω.探針排列和間距現場，四探針應(yīng)以等距離直線排列高端化，探針閥距及針突狀況應(yīng)符合GB/T 552 中的規(guī)定。R=1(R +R, )…………………………(3)R2=與(R; +R我有所應，)計(jì)算試樣平均直徑D與平均操針間距S之比提單產，由表3中查出修正因子F，也可以見(jiàn)GB/T11073中規(guī)定的幾何修正因子至關重要。 9.4計(jì)算幾何修正因子F發展空間，見(jiàn)式(4)。對(duì)于薄層厚度小于3μm的試樣有所應，選用針尖半徑為100μm250μm的半球形探針或針尖率徑為50μm~125 pm平頭探針足了準備，針尖與試樣間壓力為0.3 Nˉ0.8Ni對(duì)于薄層厚度不小于3μ的試樣，選用針尖半徑為35μm100 pm 半球形操針認為，針尖與試樣間壓力不大于 0.3 N.Rr=V; R,/V=V/I,…… …