簡(jiǎn)要描述：SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長(zhǎng) 1 個(gè) 15 x 15 mm2單層石墨烯樣品取得明顯成效。

    SiC基單層石墨烯電極是在SiC基底上生長(zhǎng) 1 個(gè) 15 x 15 mm²單層石墨烯樣品。

    SiC基單層石墨烯電極是由碳（C）原子組成的晶體平面數據，sp²鍵在蜂窩晶格中結(jié)合創新的技術，其中碳與三個(gè)平面內(nèi)鍵結(jié)合，而第四個(gè)在垂直方向上是不飽和鍵顯著。這種晶體結(jié)構(gòu)負(fù)責(zé)石墨烯的*特性快速增長。在本產(chǎn)品中，石墨烯在Si端接SiC基板上形成占。*形成的碳層稱為界面層或緩沖層高質量，它是絕緣的，因?yàn)樗奶荚佑腥种慌cSiC基板共價(jià)結(jié)合激發創作。外延石墨烯是指在界面層之上形成的碳層前景，具有隔離單層石墨烯典型的線性分散。

    本產(chǎn)品為極耐用電極進行探討，適合多種使用落到實處。如果涂覆了涂層等多個領域，無(wú)論采用何種沉積技術(shù)，都可以通過(guò)強(qiáng)酸或堿溶液（取決于涂層性質(zhì)）去除涂層產品和服務，而不會(huì)影響石墨烯層應用擴展。請(qǐng)注意，如果應(yīng)用的電勢(shì)高于 +2V增多，SiC 上的單層石墨烯可能會(huì)以電化學(xué)方式降解活動上。

規(guī)范
覆蓋率： 99%
厚度變化：< 10%="" of="" bi-layer="">
電導(dǎo)率類型：n型
薄板載體密度：2 x 10¹² × 5 x 10¹²厘米^-2
移動(dòng)性： 1500 - 2200 厘米²/V
基板類型：4H-SIC HPSI
基板厚度：0.5 毫米
基板長(zhǎng)度： 15 毫米
基板寬度：15 毫米
基板方向：軸上
基板電阻率范圍：± 1 x 10⁵ °cm
基板微管密度（MPD）：標(biāo)準(zhǔn)
基板精加工：雙面拋光 Si 面 CMP