• 更大的批量生產(chǎn)能力

• 高產(chǎn)量

• 更穩(wěn)定的器件質(zhì)量

• 低購(gòu)置成本

• 提供單晶圓傳送腔室或者多至三個(gè)腔室的集群式配置

• 標(biāo)準(zhǔn)的真空傳送腔室規劃，具有直開(kāi)式和集群式選項(xiàng)

• 出色的正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間

• 高質(zhì)量器件性能和良率

特點(diǎn)

PlasmaPro 1000設(shè)備能為L(zhǎng)ED生產(chǎn)商提供更好的行業(yè)優(yōu)勢(shì)

490mm電極 - 更為先進(jìn)的批量規(guī)模，多達(dá)7 x 6”晶圓深度，提供了更高的產(chǎn)量

可靠的硬件系統(tǒng)易維護(hù)性 - 出色的正常運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)間

壓盤(pán) - 增強(qiáng)晶圓冷卻

Z向可移動(dòng)電極 - 更好的均勻性

雙進(jìn)氣口 - 易于工藝調(diào)整

特殊的載盤(pán)設(shè)計(jì) - 每片晶圓在最小的邊緣去除區(qū)域之內(nèi)帶動擴大，均獲得有效的冷卻，且易于使用和維護(hù)

高導(dǎo)通的徑向（軸對(duì)稱(chēng)）抽氣結(jié)構(gòu) - 確保提升了工藝均勻性和速率

應(yīng)用

• 高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅開拓創新，用于光子學(xué)性能、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途
• 用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕