晶體尺寸：10毫米電學性能：半導體晶體結構：斜方晶系晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm探索創新，C = 1.135nm帶來全新智能，α=β=γ= 9晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%表征方法：XRD，拉曼新產品，EDX去完善，霍爾測量

晶體尺寸：10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm長遠所需，C = 1.135nm求索，α=β=γ= 9
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼規模，EDX結構，霍爾測量

晶體尺寸：10毫米
電學性能：半導體
晶體結構：斜方晶系
晶胞參數(shù)：a = 0.4025nm，B = 1.117nm優化上下，C = 1.135nm能力建設，α=β=γ= 9
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%
表征方法：XRD，拉曼生產體系，EDX服務，霍爾測量

XRD of a single crystal Bi2S3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

EDX of a single crystal Bi2S3.

Raman of a single crystal Bi2S3. Measurement with a 785nm Raman at room temperature.