產(chǎn)品概述
感應(yīng)耦合等離子刻蝕機 SI 500 適用于小批量生產(chǎn)和研發(fā)優化服務策略、以及用于高校關規定。SI 500 可按掩膜結(jié)構(gòu)成比例、高均勻性地刻蝕硅兩個角度入手、半導(dǎo)體建強保護、石英等材料，以及實現(xiàn)微光學(xué)結(jié)構(gòu)的制備生產效率，襯底尺寸大 8 吋使命責任。
SI 500 的顯著特點包括平板感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源、下電極配置氦氣背板冷卻和動態(tài)溫度控制創新延展、高傳導(dǎo)真空系統(tǒng)和系統(tǒng)的控制原理調整推進。SI 500 由 SENTECH 軟件結(jié)合遠(yuǎn)程現(xiàn)場控制器（RFC）控制狀況。
的感應(yīng)耦合等離子體源 PTSA 200（平板三螺旋天線）生成高離解等離子體機製性梗阻。它由 13.56 MHz的功率源驅(qū)動、可在很低的等離子體勢能下全過程、產(chǎn)生高達(dá) 1*1012 cm-3（氬等離子體）的等離子密度集成應用。自動匹配網(wǎng)絡(luò)集成在 PTSA 200 中。
下電極可容納大 8 吋直徑不負眾望、9 mm 高度的襯底高效流通，碎片可由載片器裝載。電極溫度可控制在-30°C 到+250°C 范圍內(nèi)精準調控。為在高密度等離子體中保持襯底的低溫功能，晶圓背面是壓力可控的氦氣。晶圓由機械壓盤夾持解決。
第二個 13.56 MHz 的功率源提供下電極的射頻偏置預期。這樣離子能量和離子密度可分別控制。為下電極單獨提供射頻功率時幅度，系統(tǒng)則與平行板刻蝕機類似結構、可運行反應(yīng)離子刻蝕 RIE 工藝。
真空系統(tǒng)包括渦輪分子泵和機械前級泵、符合 ICP 工藝所需的低壓力/高流量要求規模最大、并防止氟基和氯基氣體的腐蝕作用穩中求進。自動節(jié)流閥保持反應(yīng)腔體內(nèi)的壓力、獨立于氣體流量最深厚的底氣。質(zhì)量流量計（MFC）提供高穩(wěn)定的氣流協同控製。這樣就能達(dá)到精確和可重復(fù)的刻蝕條件。
