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FT-351高溫四探針電阻率測試儀

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FT-351高溫四探針電阻率測試儀
采用由四探針雙電測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗箱結合配置的高溫測試探針治具便利性,滿足半導體材料因溫度變化對電阻值變化的測量要求全面展示,通過的測控軟件可以顯示出溫度與電阻廣泛用于:生產企業(yè)、高等院校深刻認識、科研部門對導電陶瓷共同學習、硅、鍺單晶(棒料深入、晶片)電阻率效高、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻基礎、電阻率和電導率數(shù)據(jù).

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產品介紹


FT-351高溫四探針電阻率測試系統(tǒng)

一性能、概述:

采用由四探針雙電測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗箱結合配置的高溫測試探針治具,滿足半導體材料因溫度變化對電阻值變化的測量要求對外開放,通過的測控軟件可以顯示出溫度與電阻技術創新,電阻率,電導率數(shù)據(jù)的變化曲線資料,是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具廣泛應用。

詳細資料


FT-351高溫四探針電阻率測試系統(tǒng)

一、概述:

采用由四探針雙電測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗箱結合配置的高溫測試探針治具橫向協同,滿足半導體材料因溫度變化對電阻值變化的測量要求哪些領域,通過的測控軟件可以顯示出溫度與電阻,電阻率迎難而上,電導率數(shù)據(jù)的變化曲線,是檢驗和分析導體材料和半導體材料質量的一種重要的工具探索。

二堅持先行、適用行業(yè):

廣泛用于:生產企業(yè)、高等院校滿意度、科研部門對導電陶瓷情況較常見、硅、鍺單晶(棒料主要抓手、晶片)電阻率體製、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻創新科技、電阻率和電導率數(shù)據(jù).

三服務延伸、功能介紹:液晶顯示共創輝煌,無需人工計算,并帶有溫度補償功能進一步,電阻率單位自動選擇大部分,儀器自動測量并根據(jù)測試結果自動轉換量程,無需人工多次和重復設置實際需求。采用高精度AD芯片控制機構,恒流輸出,結構合理交流、質量輕便基礎,運輸安全、使用方便還不大;配備軟件可以由電腦操控高產,并保存和打印數(shù)據(jù),自動生成報表力度;

本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示明確了方向,同時顯示液晶顯示:電阻、電阻率勇探新路、方阻單產提升、溫度、單位換算試驗、溫度系數(shù)勞動精神、電流、電壓製度保障、探針形狀預下達、探針間距、厚度統籌推進、電導率方案,配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。

測試治具可以根據(jù)產品及測試項目要求選購.

雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量了解情況。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法標準并參考美國 A.S.T.M 標準深入。利用電流探針、電壓探針的變換重要的,進行兩次電測量開展研究,對數(shù)據(jù)進行雙電測分析,自動消除樣品幾何尺寸相互融合、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響首要任務,它與單電測直線或方形四探針相比,大大提高度不同需求,特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試發展。

四保持穩定、技術參數(shù)資料

1.方塊電阻范圍:10-52×105Ω/□

2.電阻率范圍:10-6×106cm

3.測試電流范圍:0.1μA 1μA信息,10μA相關,100µA1mA豐富內涵,10mA生產效率,100 mA

4.電流精度:±0.1%讀數(shù)

5.電阻精度:≤0.3%

6.顯示讀數(shù):液晶顯示:電阻、電阻率適應性、方阻節點、溫度、單位換算落地生根、溫度系數(shù)的特點、電流、電壓有效保障、探針形狀大數據、探針間距、厚度 講實踐、電導率

7.測試方式: 雙電測量

8.工作電源: 輸入:AC 220V±10% ,50Hz  功 耗:<30W

9.整機不確定性誤差: ≤4%(標準樣片結果)

10. 溫度: 1200℃可調節(jié)數字技術;沖溫值:≤1-3℃;控溫精度:±1°C

11市場開拓、升溫速度:9999分鐘以內自由設定,一般10分鐘內即可升到900℃措施;功率:3kw.

12、爐膛材料:采用復合陶瓷纖維材料要落實好,具有真空成型緊密相關,高溫不掉粉的特征。

13.測試PC軟件一套先進技術,USB通訊接口培訓,軟件界面同步顯示、分析宣講手段、保存和打印數(shù)據(jù)重要工具!

14.選購:電腦和打印機

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