介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀 型號(hào)：GDAT-A
滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻促進善治、音頻擴大、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法
GB/T 1409-2006本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在15 Hz-300 MHz的頻率范圍內(nèi)測(cè)量電容率、介質(zhì)損耗因數(shù)的方法發揮效力，并由此計(jì)算某些數(shù)值 新格局，如損耗指數(shù)。本標(biāo)準(zhǔn)中所敘述的某些方法安全鏈，也能用于其他頻率下測(cè)量顯示。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量液體、易熔材料以及固體材料真正做到。測(cè)試結(jié)果與某些物理?xiàng)l件有關(guān)科普活動，例如頻率、溫度強化意識、濕度長期間，在特殊情況下也與電場(chǎng)強(qiáng)度有關(guān)有時(shí)在超過(guò) 1 000 V的電壓下試驗(yàn)，則會(huì)引起一些與電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)無(wú)關(guān)的效應(yīng)現場，對(duì)此不予論述高端化。
介電常數(shù)和介質(zhì)損耗測(cè)試儀 技術(shù)指標(biāo)
1．Q值測(cè)量
a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
b．Q值量程分檔：30我有所應、100提單產、300、1000能力建設、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔關註。
c．標(biāo)稱誤差
項(xiàng) 目GDAT-A
頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差≤5％
工作誤差≤7％
頻率范圍10MHz～60MHz無障礙；
固有誤差≤6％
工作誤差≤8％
2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H
3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量：1~ 460
項(xiàng) 目 GDAT-A
直接測(cè)量范圍
1～460pF 主電容調(diào)節(jié)范圍 準(zhǔn)確度 30～500pF 150pF以下±1.5pF連日來； 150pF以上±1％
注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見(jiàn)使用規(guī)則
4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng) 目
GDAT-A
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
(虛擬)
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz
電感：
線圈號(hào) 測(cè)試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz，50MHz 233認為，211 0.9 0.125μH
電介質(zhì)的用途
電介質(zhì)一般被用在兩個(gè)不同的方面:
用作電氣回路元件的支撐系統，并且使元件對(duì)地絕緣及元件之間相互絕緣;
用作電容器介質(zhì)
測(cè)量方法的選擇
測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的方法可分成兩種:零點(diǎn)指示法和諧振法。
1 零點(diǎn)指示法適用于頻率不超過(guò)50 MHz時(shí)的測(cè)量更合理。測(cè)量電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)可用替代法;也就
是在接人試樣和不接試樣兩種狀態(tài)下適應能力，調(diào)節(jié)回路的一個(gè)臂使電橋平衡。通掣鞣矫?；芈凡捎梦髁蛛姌蚍揽?、變壓器
電橋(也就是互感藕合比例臂電橋)和并聯(lián) T型網(wǎng)絡(luò)。變壓器電橋的優(yōu)點(diǎn):采用保護(hù)電極不需任何外加
附件或過(guò)多操作適應性，就可采用保護(hù)電極;它沒(méi)有其他網(wǎng)絡(luò)的缺點(diǎn)堅實基礎。
2 諧振法適用于10 kHz一幾百M(fèi)Hz的頻率范圍內(nèi)的測(cè)量。該方法為替代法測(cè)量重要作用，常用的是變電抗
法等地。但該方法不適合采用保護(hù)電極。
測(cè)量范圍及誤差
本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃尤為突出，相對(duì)濕度為30％－80％條件下規定，應(yīng)滿足
下列表中的技術(shù)指示要求。
在Cn＝100pF R4＝3183.2（W）（即10K/π）時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 40pF--20000pF ±0.5% Cx±2pF
介質(zhì)損耗tgd 0～1 ±1.5％tgdx±0.0001
在Cn＝100pF R4＝318.3（W）（即1K/π）時(shí)
測(cè)量項(xiàng)目 測(cè)量范圍 測(cè)量誤差
電容量Cx 4pF--2000pF ±0.5% Cx±3pF
介質(zhì)損耗tgd 0～0.1 ±1.5％tgdx±0.0001
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