可控硅控制器適用于采用三相橋式全控應用的因素之一、三相橋式半控或帶平衡電抗器雙反星形可控整流電路、電阻或電感性負(fù)載的直流調(diào)壓裝置（如電鍍預期、電氧化敢於監督、電加熱……）。

1.1 可控硅控制器適用范圍

本控制器為三相相控整流裝置的可控硅閉環(huán)觸發(fā)控制器結構。工作可靠重要的作用，脈沖對(duì)稱度高，溫度穩(wěn)定性好規模最大，功能齊全穩中求進。適用于采用三相橋式全控、三相橋式半控或帶平衡電抗器雙反星形可控整流電路最深厚的底氣、電阻或電感性負(fù)載的直流調(diào)壓裝置(如電鍍協同控製、電氧化、電加熱……)品質。

1.2 可控硅控制器特點(diǎn)

鎖相控制模擬—數(shù)字觸發(fā)電路

開(kāi)環(huán)—閉環(huán)兩種控制方式

限壓恒流或限流恒壓兩種調(diào)節(jié)方式

相序自適應(yīng)功能(應(yīng)用時(shí)利用好，不用找相序及定相定同步。)

上電封鎖解決問題、軟起動(dòng)功能系列。

過(guò)流過(guò)壓保護(hù)功能

一體化結(jié)構(gòu)，集電源相互配合、保護(hù)單元慢體驗、觸發(fā)單元、脈沖變壓器于一體，使用調(diào)試簡(jiǎn)單，不用示波器更加堅強。

2  可控硅控制器技術(shù)參數(shù)

2.1 觸發(fā)輸出(六路雙脈沖列)

脈沖寬度：＞1.6ms

脈沖電流峰值：＞800mA

各相脈沖不均衡度：≤1°

移相范圍：0—170°

2.2 調(diào)節(jié)特性(電流電壓雙調(diào)節(jié))

恒壓大數據、恒流精度：優(yōu)于1%

調(diào)節(jié)時(shí)間：0.1S

2.3 反饋參數(shù)

電壓反饋輸入：直流12V信息化，內(nèi)阻6K核心技術。

電流反饋輸入：交流互感器 100mA各方面，輸入內(nèi)阻1Ω兩個角度入手。

直流分流器 75mV提供有力支撐，內(nèi)阻1KΩ應用。

電流傳感器 直流5V，內(nèi)阻50K技術交流。

注：上述反饋量值是額定輸出時(shí)的反饋值

2.4 輸入控制電壓：0— -10V

2.5 保護(hù)特性

   過(guò)流保護(hù)整定范圍：額定負(fù)載電流的50—200%

   過(guò)壓保護(hù)整定范圍：額定電壓的50—200%

2.6 工作環(huán)境

   環(huán)境溫度：-25—+40℃

   相對(duì)濕度：＜85%

2.7 電源：三相380V±10%先進的解決方案，50Hz。

2.8 整機(jī)功耗：＜10W

2.9 外型尺寸：262×192×60(詳見(jiàn)附圖2)

2.10 重量：1.3Kg