掃描電子顯微鏡(SEM)是依靠電子束與樣品相互作用產(chǎn)生俄歇電子優化程度、特征 X 射線和連續(xù)譜 X 射線、背散射電子等信號奮勇向前，對樣品進(jìn)行分析研究不斷豐富。
 

　　掃描電鏡在表征樣品時，受諸多參數(shù)的影響規劃，不同類型樣品應(yīng)選用合適的參數(shù)擴大公共數據，才能呈現(xiàn)出樣品更真實的表面信息。如在不同的加速電壓下帶動擴大，電子束與樣品作用所獲得的信號會有很大的差別核心技術體系。從理論上說，入射電子在樣品中的散射軌跡可用 Monte Carlo 的方法模擬(如圖 1 所示)持續發展，并且推導(dǎo)得到入射電子大穿透深度 Zmax必然趨勢。
 

　　Zmax=0.0019(A / Z)1.63E01.71/ρ
 

圖1 電子在鈦(Ti)金屬中的運(yùn)動軌跡
 

　　隨著加速電壓的增加，入射電子激發(fā)深度越深擴大，探頭接受的信號包含大量材料內(nèi)部的信息多樣性。
 

　　2000x@15kV (BSD)                                               2000x@5kV (BSD)
 

　　2000x@15kV (BSD)                                               2000x@5kV (BSD)
 

　　圖2
 

　　對比圖 2 背散射電鏡(BSD)圖片可以看出同一樣品位置在不同加速電壓下，樣品表面成分襯度新格局、形貌發(fā)生了明顯的變化明顯。
 

　　1、2 區(qū)域在 5kv 成像時顯示，樣品表面有白色襯度相創新為先，在 15kv 成像時表面主要為灰色襯度相+少量白色襯度像。
 

　　對此樣品 1 區(qū)域成分分析結(jié)果如圖 3 所示，白色襯度相主要由 Zr 組成持續向好，灰色襯度相主要由 O習慣、Si、Mg進展情況、Al 組成的積極性。
 

　　由此看以看出，15kv 成像時至關重要，高能電子束穿透了表面含 Zr 層不久前，呈現(xiàn)出了下部的主要由 O、Si提升行動、Mg能力建設、Al 組成相。在 5kv 成像時研究進展，電子束未穿透表面含 Zr 層無障礙，呈現(xiàn)出更接近于真實的樣品表面的成分襯度相。
 

　　3 區(qū)域在 5kv 下表面細(xì)節(jié)清晰有立體感廣泛關註，15kv 下由于電子穿透深善於監督，表面細(xì)節(jié)丟失且無立體感。因此對于此類樣品就能壓製，低電壓下對于表面形貌的呈現(xiàn)更真實更合理。
 

圖3
 

　　在使用掃描電鏡時，可以嘗試不同的加速電壓更優美、真空度等參數(shù)各方面，你會發(fā)現(xiàn)隨著參數(shù)的調(diào)節(jié)，樣品表面形貌會發(fā)生(微小或者巨大)變化成效與經驗，找到適合自己樣品的參數(shù)適應性，才能拍攝出“更真實”的 SEM 圖片。